[發明專利]一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝在審
| 申請號： | 201811586310.0 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109686661A | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 趙杰;徐濤 | 申請（專利權）人： | 天津市耀宇科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300000 天津市東麗區華*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜劑 加熱 摻雜 電流離子 制備工藝 氮化鎵 低摻雜 注入機 材料準備 分散處理 加熱處理 冷卻處理 退火處理 注入離子 加熱箱 放入 位錯 保溫 器材 | ||
1.一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S1，材料準備：準備GaN基板、翻轉架、真空箱、中電流離子注入機、加熱箱、氮氣源、離子源；
S2，安裝準備工作，將GaN基板裝夾在翻轉架上，并將翻轉架放置在真空箱的正中位置，將中電流離子注入機的注射頭固定安裝在真空箱頂部的正中位置，抽真空處理；
S3，調節中電流離子注入機參數，設定注射電流為80m-110mA，電壓設定為5KV-10KV，離子束能量為20KeV-110KeV，離子密度為2x1013/cm2-4x1013/cm2；
S4，注入離子，啟動中電流離子注入機，注射頭射出離子束的投射到GaN基板表面上，并均勻分散到GaN基板的內部；
S5，加熱處理，將上步中的GaN基板從真空箱內取出并放入到加熱箱中加熱；
S6，退火處理，停止加熱后，向加熱箱內通入氮氣，然后降溫到一定溫度，并保溫一段時間；
S7，冷卻處理，退火處理后，關停加熱爐，使GaN基板隨加熱爐自然冷卻，冷卻后將加熱爐內氮氣放掉，然后從加熱爐內取出完成摻雜處理的GaN基板。
2.根據權利要求1所述的一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于：步驟一中，所選的離子源為Mg。
3.根據權利要求1所述的一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于：步驟二中，抽真空時長為20分鐘-30分鐘，保證真空箱內的真空度為10pa-3x10pa，溫度為20℃-40℃。
4.根據權利要求1所述的一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于：步驟四中，噴射10分鐘后暫停，通過翻轉架將GaN基板翻轉180度，然后開機繼續噴射10分鐘，關機，結束離子注入。
5.根據權利要求1所述的一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于：步驟五中，設定加熱溫度為1020℃-1100℃，加熱時長為20分鐘-30分鐘。
6.根據權利要求1所述的一種低摻雜濃度氮化鎵的制備工藝，其特征在于：步驟六中，沖入氮氣濃度為95％-99％，然后降溫到750℃-900℃，保溫時長為30分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
