[發明專利]非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201811585972.6
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN109686850A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 楊緒勇;吳倩倩;曹璠;王勝;王浩然
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，主要包括基底(1)、第一發光單元和陽極(13)，其特征在于：并從下而上將基底(1)、第一發光單元、第二發光單元、陽極(13)組成倒置串聯發光器件結構，所述基底(1)設有ITO薄膜陰極(2)；所述第一發光單元具有由第一電子傳輸層(3)、第一量子點發光層(4)、第一界面修飾層(5)、第一空穴傳輸層(6)和第一空穴注入層(7)的各層從下而上組成第一發光單元結構；所述第二發光單元具有由第二界面修飾層(8)、第二電子傳輸層(9)、第二量子點發光層(10)、第二空穴傳輸層(11)和第二空穴注入層(12)的各層從下而上組成第二發光單元結構；所述陽極(13)設置于所述第二發光單元頂部；在第一空穴注入層(7)和第二電子傳輸層(9)之間設置第二界面修飾層(8)組成串聯連接兩個電致發光單元的連接層復合結構。

2.根據權利要求1所述非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，其特征在于：所述第一空穴注入層(7)采用PMA薄膜，所述PMA薄膜的厚度為8～10nm；所述第二電子傳輸層(9)為氧化鋅薄膜，所述氧化鋅薄膜厚度為60～65nm；所述第二界面修飾層(8)采用金屬界面層薄膜，所述金屬界面層薄膜的厚度為3～5nm，金屬界面層薄膜為以金屬為基體的金屬-金屬淺層金屬氧化物梯度材料的復合材料薄膜，從而形成PMA薄膜/金屬界面層薄膜/氧化鋅薄膜組成的三明治形式的復合連接結構，將兩個電致發光單元進行串聯連接。

3.根據權利要求2所述非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，其特征在于：所述金屬界面層薄膜采用納米Al薄膜，金屬Al界面層薄膜及其表層AlO_x氧化膜形成Al:AlO_x梯度材料復合材料薄膜。

4.根據權利要求1所述非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，其特征在于：所述ITO薄膜陰極(2)厚度為100～150nm；所述陽極(13)厚度為100～150nm。

5.根據權利要求1所述非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，其特征在于：在所述第一發光單元中，所述第一界面修飾層(5)為polyethylenimine ethoxylated薄膜，所述第一界面修飾層(5)薄膜厚度為3～6nm，利用所述第一界面修飾層(5)將第一量子點發光層(4)和第一空穴傳輸層(6)進行連接。

6.根據權利要求1所述非PEDOT:PSS倒置串聯量子點發光器件，其特征在于：在所述第一發光單元中，所述第一量子點發光層(4)為具有核殼結構的紅、綠或者藍光CdSe/ZnS量子點薄膜；所述第一量子點發光層(4)厚度為25～30nm；其中，紅量子點的發光效率為80～90％，發射波長為621～625nm，半峰寬為28～30nm；綠量子點的發光效率為80～90％，發射波長為530～534nm，半峰寬為20～22nm；藍量子點的發光效率為80～90％，發射波長為459～463nm，半峰寬為30～32nm；

所述第一空穴傳輸層(6)為(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)薄膜，所述第一空穴傳輸層(6)厚度為40～45nm。