[發(fā)明專利]檢測(cè)膜體、傳感器及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811583940.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN109788403B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒泉波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號(hào): H04R7/12
• 分類號(hào): H04R7/12;H04R7/04;H04R9/02;H04R15/00
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智

1.一種檢測(cè)膜體，其特征在于，包括位于同一膜面內(nèi)的：

框體部；

膜本體部，所述膜本體部連接在所述框體部上，且被配置為當(dāng)受到外力時(shí)，在垂直于膜面的方向上發(fā)生形變；

固定部，所述固定部連接在所述框體部上；

可移動(dòng)部，所述可移動(dòng)部被配置為當(dāng)膜本體部發(fā)生形變時(shí)，驅(qū)動(dòng)可移動(dòng)部發(fā)生在膜面內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)，以靠近或者遠(yuǎn)離所述固定部；

其中，在所述固定部與可移動(dòng)部上設(shè)置有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，用于輸出表征可移動(dòng)部轉(zhuǎn)動(dòng)的電信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述膜本體部的其中一側(cè)連接在所述框體部上；所述可移動(dòng)部包括懸臂梁部，所述懸臂梁部通過連接部與所述膜本體部的另一側(cè)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述膜本體部設(shè)置有兩個(gè)，分別記為對(duì)稱設(shè)置的第一膜本體部、第二膜本體部；所述第一膜本體部、第二膜本體部的外側(cè)連接在所述框體部上；所述懸臂梁部相對(duì)于框體部懸空，且位于第一膜本體部、第二膜本體部之間；所述第一膜本體部通過第一連接部與所述懸臂梁部連接，所述第二膜本體部通過第二連接部與所述懸臂梁部連接，且所述第一連接部與第二連接部相互錯(cuò)開。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述可移動(dòng)部還包括設(shè)置在懸臂梁部兩端的承載部，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述承載部與固定部上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在承載部、固定部其中一個(gè)上的磁傳感器，以及設(shè)置在承載部、固定部中另一個(gè)上的磁體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，每個(gè)磁傳感器與一個(gè)磁體配合，構(gòu)成一個(gè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，每個(gè)磁傳感器對(duì)應(yīng)兩個(gè)磁體，分別記為第一磁體、第二磁體，磁傳感器設(shè)置在第一磁體、第二磁體形成的共同磁場中；初始位置時(shí)，所述磁傳感器位于第一磁體的磁場方向與第二磁體的磁場方向相反的位置；所述磁傳感器與第一磁體、第二磁體構(gòu)成一個(gè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)，且被配置為在承載部轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中感應(yīng)第一磁體、第二磁體共同磁場的變化而輸出變化的電信號(hào)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述第一磁體、第二磁體以磁極方向相同的方式依次水平布置在承載部上，所述磁傳感器設(shè)置在固定部上與第一磁體、第二磁體相對(duì)應(yīng)的位置；

或者，所述第一磁體、第二磁體以磁極方向相同的方式依次水平布置在固定部上，所述磁傳感器設(shè)置在承載部上與第一磁體、第二磁體相對(duì)應(yīng)的位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，每個(gè)承載部對(duì)應(yīng)兩個(gè)固定部，分別記為第一固定部、第二固定部；所述第一固定部、第二固定部分布在承載部轉(zhuǎn)動(dòng)方向上相對(duì)的兩側(cè)；

所述磁傳感器設(shè)置在承載部上，所述第一磁體、第二磁體分別設(shè)置在位于承載部兩側(cè)的第一固定部、第二固定部上，且第一磁體、第二磁體以磁極方向相反的方式進(jìn)行布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，初始位置時(shí)，所述磁傳感器受到第一磁體的磁場，與受到第二磁體的磁場大小相等，方向相反。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述磁體、磁傳感器通過MEMS的工藝形成在承載部、固定部上。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)膜體，其特征在于，所述磁傳感器為AMR傳感器、GMR傳感器或TMR傳感器。