[發明專利]一種單晶二氧化釩薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201811583090.6
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN109487338B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 徐曉峰;蒙奕帆;桑景新
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233
• 代理人: 黃志達

1.一種單晶二氧化釩薄膜的制備方法，包括：

（1）在c-Al₂O₃襯底上磁控濺射金屬釩薄膜；其中磁控濺射為直流磁控濺射，具體為：靶材與基底之間的距離為180~200mm，襯底轉速為18~21.8rad/min；鍍膜前預濺射靶材10~15min，然后等待本底真空度為1.8×10^-3Pa后，將氬氣壓調至1×10^-1Pa，以130~140W的功率進行直流磁控濺射5~6min；

（2）將上述金屬釩薄膜在空氣中進行氧化處理，自然冷卻，即得單晶二氧化釩薄膜；其中氧化處理分為升溫段和降溫段，其中升溫段為：加熱3-5s溫度由室溫升至450-470℃，保持60~120s；降溫段為：冷卻3-5s，溫度降至200℃，保持20-50s。

2.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中c-Al₂O₃襯底為在（0006）單晶取向的c-Al₂O₃基片。

3.根據權利要求1所述制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中靶材為純度大于99%的金屬釩，靶材直徑為60~61mm。

4.一種權利要求1所述方法制備的單晶二氧化釩薄膜。

5.根據權利要求4所述單晶二氧化釩薄膜，其特征在于，所述薄膜為單晶（020）取向的二氧化釩薄膜。