[發(fā)明專利]基于超材料的金屬柵MOSFET柵極光柵化的探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811581753.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109781255B | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬建國(guó);周紹華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01J1/44 | 分類號(hào)： | G01J1/44;H01L31/113;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329 | 代理人： | 伍時(shí)禮;楊曉松 |
| 地址： | 510062 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 材料 金屬 mosfet 柵極 光柵 探測(cè)器 | ||
1.基于超材料的金屬柵MOSFET柵極光柵化的探測(cè)器，其特征在于，包括基于超材料的具有光柵化柵極結(jié)構(gòu)及其各種不同光柵圖案形式的金屬柵MOSFET，所述金屬柵MOSFET的柵極通過第一偏置電阻與提供直流電源的第一偏置電壓相連，所述金屬柵MOSFET的源極接地，所述金屬柵MOSFET的漏極與第一隔直電容相連，所述第一隔直電容與低噪聲前置放大器相連，所述低噪聲前置放大器與所述第一隔直電容之間通過第二偏置電阻還相連有用于提供直流電源的第二偏置電壓，所述探測(cè)器的輸出電壓信號(hào)為直流電壓信號(hào)，所述直流電壓信號(hào)的大小與所述探測(cè)器信號(hào)的輻射強(qiáng)度成正比，所述探測(cè)器通過調(diào)節(jié)金屬柵MOSFET柵極的光柵化結(jié)構(gòu)參數(shù)和超材料參數(shù)實(shí)現(xiàn)太赫茲波段響應(yīng)范圍的調(diào)節(jié)，所述光柵化結(jié)構(gòu)參數(shù)包括光柵的寬度、長(zhǎng)度、區(qū)域面積和圖案形式，所述超材料參數(shù)包括超材料的結(jié)構(gòu)、尺寸、介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的探測(cè)器，其特征在于，所述低噪聲前置放大器還相連有電壓反饋回路。
3.如權(quán)利要求2所述的探測(cè)器，其特征在于，所述電壓反饋回路包括與所述低噪聲前置放大器兩端相連的第一電阻，所述第一電阻與所述低噪聲前置放大器負(fù)極相連的左端部還依次相連第二電阻、第二隔直電容以及接地，所述第一電阻右端還依次相連第三隔直電容以及接地。
4.如權(quán)利要求3所述的探測(cè)器，其特征在于，所述金屬柵MOSFET的光柵圖案結(jié)構(gòu)在橫向以不同類型或相同類型進(jìn)行周期性變化，單列縱向的光柵圖案結(jié)構(gòu)為相同或不相同。
5.如權(quán)利要求3所述的探測(cè)器，其特征在于，所述金屬柵MOSFET的光柵圖案結(jié)構(gòu)在橫向?yàn)榉侵芷谛宰兓瑔瘟锌v向的光柵圖案結(jié)構(gòu)為相同或不相同。
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