[發明專利]曝光裝置及間隔物的制作方法

在審

• 申請號: 201811581610.X
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN109581756A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 秦藝
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339;G02F1/13;G03F7/20
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 高星

1.一種曝光裝置，用于對待曝光結構進行曝光，其特征在于，包括第一工作位、第二工作位、光罩組件、第一曝光光源組件和第二曝光光源組件；

所述光罩組件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一個第一不透光區，所述第一不透光區包括間隔設置的主不透光區和輔不透光區；所述第二光罩具有至少一個第二不透光區，所述第二不透光區對應所述主不透光區，所述輔不透光區對應所述第二光罩上的所述第二不透光區以外的位置；

所述第一工作位和第二工作位相互獨立設置，分別用于放置所述待曝光結構；所述第一工作位與所述第一光罩相對設置，所述第二工作位與所述第二光罩相對設置；

所述第一光罩和第一曝光光源組件相對設置，所述第二光罩和第二曝光光源組件相對設置；

從所述第一曝光光源組件照射至所述第一光罩和所述待曝光結構的紫外光的能量大于從所述第二曝光組件照射至所述第二光罩和所述待曝光結構的紫外光的能量。

2.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，

所述第一曝光光源組件包括第一紫外發光二極管，用于發出波長在275nm～320納米的紫外光，照射至所述第一光罩；

所述第二曝光光源組件包括第二紫外發光二極管，用于發出波長在320nm～420納米的紫外光，照射至所述第二光罩。

3.如權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，

所述第一曝光光源組件包括紫外發光二極管和第一濾光器，所述第一濾光器允許第一波長范圍的紫外光通過；

所述第二曝光光源組件包括所述紫外發光二極管和第二濾光器；所述第二濾光器允許第二波長范圍的紫外光通過；

所述第一濾光器和第二濾光器不同，以使通過第二濾光器的紫外光的能量小于通過所述第一濾光器的紫外光的能量。

4.如權利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，所述紫外發光二極管發出的光束包括275～420納米的紫外光，所述第一波長范圍為275納米～420納米，所述第二波長范圍為320納米～420納米。

5.如權利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一波長范圍為275nm～320納米。

6.如權利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一濾光器包括氮化硅，所述第二濾光器包括氮化硅，所述第一濾光器的氮化硅的含氫量小于第二濾光器的含氫量。

7.如權利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一濾光器為長波紫外截止濾光片，所述第二濾光器為中波紫外截止濾光片。

8.一種曝光裝置，用于對待曝光結構進行曝光，其特征在于，包括第一工作位、第二工作位、光罩組件、第一曝光光源組件、第二曝光光源組件和傳動機構；

所述光罩組件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一個第一不透光區，所述第一不透光區包括間隔設置的主不透光區和輔不透光區；所述第二光罩具有至少一個第二不透光區，所述第二不透光區對應所述主不透光區，所述輔不透光區對應所述第二光罩上的所述第二不透光區以外的位置；

所述第一工作位和第二工作位相互獨立設置，分別用于放置所述待曝光結構；所述第一工作位與所述第一光罩相對設置，所述第二工作位與所述第二光罩相對設置；

所述第一光罩和第一曝光光源組件相對設置，所述第二光罩和第二曝光光源組件相對設置；

從所述第一曝光光源組件照射至所述第一光罩和所述待曝光結構的紫外光的能量大于從所述第二曝光組件照射至所述第二光罩和所述待曝光結構的紫外光的能量；

所述傳動機構用于帶動所述待曝光結構經所述第一工作位到達第二工作位，或經所述第二工作位到達第一工作位。

9.一種間隔物的制作方法，其特征在于，包括：

形成一層感光樹脂材料層，使所述感光樹脂材料層進入權利要求1至8中任一項所述的曝光裝置，在所述第一工作位和第二工作位下各進行一次曝光；

經顯影和蝕刻后，對應所述主不透光區形成主間隔物，對應所述輔不透光區形成輔間隔物。

10.如權利要求9所述的間隔物的制作方法，其特征在于，所述感光樹脂材料層由傳送機構帶動經所述第一工作位到達第二工作位，或所述感光樹脂材料層由傳送機構帶動經所述第二工作位到達第一工作位；

所述感光樹脂材料層在所述第一工作位的曝光時間與在所述第二工作位的曝光時間相同或不同。