[發明專利]一種用于半導體芯片的鍍金液、鍍金方法及鍍鎳金方法

在審

• 申請號: 201811581213.2
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN111349917A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 高云雪;徐長坡;陳澄;梁效峰;李亞哲;王曉捧;楊玉聰;魏文博
• 申請（專利權）人: 天津環鑫科技發展有限公司
• 主分類號: C23C18/42
• 分類號: C23C18/42;C23C18/36
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：包括4-10g/L的水溶性金鹽、12-20g/L的pH緩沖劑、4-8g/L的絡合劑、30-45g/L的掩蔽劑和水。

2.根據權利要求1所述的用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：所述鍍金液的pH為5-7，優選的，所述鍍金液的pH為5-6。

3.根據權利要求1或2所述的用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：所述水溶性金鹽為氰化亞金鉀、亞硫酸金鈉、三水合氯化金鹽酸和硫代蘋果酸金鈉中的一種或多種的組合，優選的，所述水溶性金鹽為氰化亞金鉀。

4.根據權利要求1-3任一所述的用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：所述pH緩沖劑為氯化銨、磷酸氫二鉀、乙酸鈉和檸檬酸三鈉中的一種或多種的組合。

5.根據權利要求1-4任一所述的用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：所述絡合劑為檸檬酸、檸檬酸的可溶鹽、亞硫酸鈉、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀鈉中的一種或多種的組合，優選的，所述絡合劑為檸檬酸與檸檬酸的可溶鹽的混合。

6.根據權利要求1-5任一所述的用于半導體芯片的鍍金液，其特征在于：所述掩蔽劑為乙二胺四乙酸或其鹽、羥乙基亞胺二乙酸或其鹽和二乙基三胺五乙酸或其鹽中的一種或幾種的組合，優選的，所述掩蔽劑為乙二胺四乙酸或其鹽。

7.一種使用如權利要求1-6任一所述的鍍金液對半導體芯片進行鍍金的方法。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片的鍍金的方法，其特征在于：鍍金過程中鍍金液的溫度為60-100℃，優選的，鍍金過程中鍍金液的溫度為80-90℃。

9.根據權利要求7或8所述的半導體芯片的鍍金的方法，其特征在于：使用同一批鍍金液處理不同批次半導體芯片，不同批次的半導體芯片的處理時間依次增加，優選的，每批次半導體芯片的處理時間比上一批次半導體芯片的處理時間增加60-90秒。

10.一種半導體芯片的鍍鎳金的方法，其特征在于：包括：依次進行：

第一步、半導體芯片表面預處理，優選的，所述第一步包括依次進行半導體芯片表面氧化層去除、清洗、半導體芯片表面活化；

第二步、對所述半導體芯片進行鍍鎳；

第三步、使用如權利要求7-9任一所述的半導體芯片的鍍金方法對所述半導體芯片進行鍍金；

第四步、烘干，優選的，所述第四步包括熱水慢提拉和紅外烘干。