[發(fā)明專利]一種有機(jī)X射線成像板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811580790.X | 申請日: | 2018-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN109671737A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 耿樹范;鄭巖;趙謖齡;張瑞君;劉潔;王錫樹;何文;王露;戴江匯 | 申請(專利權(quán))人: | 上海洞舟實業(yè)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201619 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 矩陣 光電傳感器 熒光薄膜 薄膜 靈敏 薄膜層 像素 發(fā)光圖像 配套電路 光電轉(zhuǎn)換信號 強(qiáng)弱電信號 發(fā)光材料 發(fā)光灰度 收集處理 數(shù)字圖像 保護(hù)層 隔離層 閃爍體 緊貼 | ||
一種有機(jī)X射線成像板,它是由1高靈敏熒光薄膜、2有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜、3TFT薄膜層、4隔離層、5保護(hù)層、配套電路組成;高靈敏熒光薄膜緊貼在有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜前面,高靈敏熒光薄膜含有閃爍體發(fā)光材料,高靈敏熒光薄膜能夠在X射線照射下形成發(fā)光圖像,高靈敏熒光薄膜發(fā)光圖像能夠帶有更好的多種發(fā)光灰度,被有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜中的對應(yīng)像素元感應(yīng)產(chǎn)生光電轉(zhuǎn)換信號,TFT薄膜層置于有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜后面,TFT薄膜層與有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜的像素元對應(yīng)連接,矩陣的TFT層收集處理將像素元產(chǎn)生的強(qiáng)弱電信號,通過配套電路處理形成數(shù)字圖像。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬醫(yī)療、工業(yè)、安檢中X光成像技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
現(xiàn)有X光成像已經(jīng)廣泛用于醫(yī)療診斷的實時影像、大型安檢成像等,現(xiàn)有成像傳感器技術(shù)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)主要是由:X光熒光板、無機(jī)半導(dǎo)體光傳感元件、控制配套電路等組成,其中半導(dǎo)體光傳感元件主要是非晶硅、非晶硒、CMOS、CCD等,這些的固態(tài)半導(dǎo)體器件形成復(fù)雜的矩陣感光像素平板,將熒光圖像轉(zhuǎn)為電信號,從而形成數(shù)字影像生成與存儲。現(xiàn)有技術(shù)不足是上述無機(jī)半導(dǎo)體器件形成陣列具有復(fù)雜的工藝結(jié)構(gòu),不可彎曲,成像面積受到限制、像素較大、成本昂貴,器件體積較大等。中國專利:201016215901、2012103939402、2006100644606、2014103057586,美國專利US9735194、US5093576 揭示了現(xiàn)有技術(shù)制備原理與工藝。
本發(fā)明一種有機(jī)X射線成像板,它是由X射線激發(fā)發(fā)光的高靈敏熒光薄膜層、光電轉(zhuǎn)換功能的有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜層、像素元信號收集處理傳輸?shù)腡FT薄膜層、X射線功能隔離層、防潮密封保護(hù)層、電信號處理數(shù)字圖形生成的配套電路共同組成;當(dāng)X射線源照射目標(biāo)物體時,閃爍體發(fā)光材料產(chǎn)生發(fā)光,并被有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜及TFT薄膜層轉(zhuǎn)換為電信號,通過連接配套電路形成實時的數(shù)字圖像,傳輸?shù)浇K端顯示器并存儲。
本發(fā)明可以用于醫(yī)療、工業(yè)、安檢中X光成像技術(shù)領(lǐng)域,也可以用于便攜式三維立體X光成像,中子成像、質(zhì)子成像等。
發(fā)明內(nèi)容
一種有機(jī)X射線成像板,它是由1高靈敏熒光薄膜、2有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜、3TFT薄膜層、4隔離層、5保護(hù)層、配套電路組成;高靈敏熒光薄膜緊貼在有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜前面,高靈敏熒光薄膜含有閃爍體發(fā)光材料,高靈敏熒光薄膜能夠在X射線照射下形成發(fā)光圖像,高靈敏熒光薄膜發(fā)光圖像能夠帶有更好的多種發(fā)光灰度,被有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜中的對應(yīng)像素元感應(yīng)產(chǎn)生光電轉(zhuǎn)換信號,TFT薄膜層置于有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜后面,TFT薄膜層與有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜的像素元對應(yīng)連接,矩陣的TFT層收集處理將像素元產(chǎn)生的強(qiáng)弱電信號,通過配套電路處理形成數(shù)字圖像。隔離層置于TFT薄膜層后面;高靈敏熒光薄膜、有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜、TFT薄膜層、隔離層共同被保護(hù)層密封形成柔性成像薄膜;TFT薄膜層通過6連接線與配套電路連接;當(dāng)X射線源照射目標(biāo)物體時,當(dāng)X射線源照射目標(biāo)物體時,閃爍體發(fā)光材料產(chǎn)生發(fā)光,并被有機(jī)矩陣光電傳感器薄膜及TFT薄膜層轉(zhuǎn)換為電信號,通過連接配套電路形成實時的數(shù)字圖像,傳輸?shù)浇K端顯示器并存儲。
本發(fā)明中的高靈敏熒光薄膜是由閃爍體發(fā)光材料與襯底薄膜構(gòu)成;閃爍體材料是由X射線激發(fā)的粉末微晶發(fā)光材料構(gòu)成;襯底薄膜是PET薄膜、碳纖維薄膜、金屬薄膜中的一種;襯底薄膜薄膜表面鍍有可見光增強(qiáng)層,閃爍體材料噴涂、印刷、壓涂在柔性襯底薄膜表面。由于本發(fā)明使用的是有機(jī)矩陣光電轉(zhuǎn)換傳感原理,其對長波段波長接收響應(yīng)靈敏,因此選擇使用紅色、綠色、近紅外發(fā)光材料尤為重要,這不同于其它半導(dǎo)體感應(yīng)器件對短波響應(yīng)靈敏特征。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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