[發明專利]一種應用于中遠紅外光電探測的磁性鐵氧體/Bi復合薄膜有效
| 申請號： | 201811579272.6 | 申請日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN109686798B | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 金立川;李佳璐;張岱南;張懷武;向全軍;鐘智勇;唐曉莉;白飛明 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;C30B19/02 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 吳姍霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用于 紅外 光電 探測 磁性 鐵氧體 bi 復合 薄膜 | ||
1.一種磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜在中遠紅外光電探測中的應用，其特征在于，所述磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜包括襯底，以及依次形成于襯底之上的磁性鐵氧體薄膜層和Bi薄膜層，所述磁性鐵氧體薄膜層為尖晶石鐵氧體、石榴石鐵氧體或者磁鉛石鐵氧體薄膜，厚度為100 nm ~ 50 μm；所述Bi薄膜層的厚度為1 nm ~ 500 nm。
2.根據權利要求1所述的磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜在中遠紅外光電探測中的應用，其特征在于，所述襯底為硅、玻璃或石榴石單晶基片。
3. 根據權利要求1所述的磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜在中遠紅外光電探測中的應用，其特征在于，所述襯底為GGG單晶基片，磁性鐵氧體薄膜層為釔鐵石榴石薄膜。
4. 根據權利要求1所述的磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜在中遠紅外光電探測中的應用，其特征在于，所述磁性鐵氧體薄膜層采用液相外延法或者真空氣相沉積法制備得到，所述Bi薄膜層采用分子束外延或磁控濺射法制備得到。
5. 一種磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜在中遠紅外光電探測中的應用，其特征在于，所述磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜的制備過程具體為：
步驟1、以Fe2O3和Y2O3作為原料，Bi2O3作為熔劑，制備熔體；然后采用液相外延的方法在GGG單晶基片上生長釔鐵石榴石薄膜層，生長溫度為900~980 ℃，時間為5~10 min；
步驟2、采用分子束外延方法在步驟1得到的磁性鐵氧體薄膜層上形成Bi薄膜層，具體過程為：首先，將Bi源升溫至400~600 ℃，步驟1得到的帶釔鐵石榴石薄膜的基片升溫至200~500 ℃并保溫1h；然后在基片溫度自然降至25~300℃時，打開鉍源，開始進行分子束外延生長，直至得到厚度為1 nm ~ 500 nm的Bi薄膜層，完成所述磁性鐵氧體/ Bi復合薄膜的制備。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
