[發明專利]一種內窺鏡micro-LED光源及其制備方法

有效

• 申請號: 201811576296.6
• 申請日: 2018-12-22
• 公開（公告）號: CN109742197B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 田朋飛;顧而丹;劉冉;鄭立榮
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L27/15;A61B1/06
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;陸尤

1.一種內窺鏡micro-LED光源的制備方法，其特征在于，具體步驟為：

（1）在氮化鎵或者砷化鎵基LED外延片上刻蝕micro-LED臺面陣列；

（2）沉積p型電極，退火形成p型歐姆接觸；

（3）沉積絕緣層，并在將要制備電極或者進行電極互連的位置刻蝕開孔；

（4）在相應開孔位置，沉積n型電極，退火形成n型歐姆接觸；

（5）沉積n型、p型以及micro-LED單元之間的互連電極；

（6）襯底剝離、襯底轉移和表面粗化；

（7）設計芯片的驅動方式、以及驅動電流和電壓；

（8）Micro-LED芯片與內窺鏡外殼封裝；

（9）白光發光芯片封裝；

其中，所述micro-LED陣列中每個micro-LED單元的尺寸為20-90微米；所述micro-LED陣列的形狀以及micro-LED單元的形狀根據內窺鏡的需求和形狀設計，micro-LED之間的間距為20-600微米，根據內窺鏡所需的工作溫度設計調整。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述氮化鎵或者砷化鎵基LED外延片采用MOCVD方法生長制備，外延片生長襯底為藍寶石襯底，或者硅襯底，或者同質GaN襯底，或者SiC襯底，或者GaAs襯底，LED外延片和制備出的LED芯片的發光波長覆蓋可見光波段，從380nm到780nm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（7）中，micro-LED陣列芯片設計為并聯或串聯方式。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（8）中，將micro-LED芯片貼合內窺鏡前端表面封裝，使內窺鏡外殼本身能夠擴散熱量。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（9）中，由紅綠藍多種發光顏色的micro-LED陣列混合形成白光，或者由藍光micro-LED陣列與熒光粉混合形成白光。

6.由權利要求1-5之一所述制備方法得到的內窺鏡micro-LED光源。