[發明專利]一種硅基底類金剛石保護膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201811574807.0 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN109576706A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 李剛;董力;楊偉聲;張紅梅;吳棟才;王春育;田湫 | 申請（專利權）人： | 云南北方馳宏光電有限公司 |
| 主分類號： | C23C28/00 | 分類號： | C23C28/00;C23C14/16;C23C14/30;C23C16/26 |
| 代理公司： | 西安東靈通專利代理事務所(普通合伙) 61242 | 代理人： | 朱玲 |
| 地址： | 655000 *** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 類金剛石 保護膜 硅基 連接層 附著力 脫膜現象 底邊緣 全口徑 制備 生產成本 覆蓋 | ||
1.一種硅基底類金剛石保護膜，其特征在于，包括硅基底、類金剛石保護膜及鍺連接層；所述鍺連接層設置于硅基底與類金剛石保護膜之間。
2.根據權利要求1所述的一種硅基底類金剛石保護膜，其特征在于，所述類金剛石保護膜的平均透過率≥66％、平均反射率≤3％。
3.根據權利要求2所述的一種硅基底類金剛石保護膜，其特征在于，所述硅基底所采用的材料為紅外光學材料硅。
4.如權利要求1～3任一項所述的一種硅基底類金剛石保護膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1：使用雙面高溫膠帶將硅基底固定在工件盤上；
步驟S2：采用電子束蒸發鍍膜設備在硅基底表面全口徑鍍制鍺連接層；
步驟S3：采用等離子體化學氣相沉積設備，在鍍有鍺連接層的硅基底表面鍍制類金剛石保護膜。
5.根據權利要求4所述的一種硅基底類金剛石保護膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中的鍍膜溫度為170±5℃，鍍制過程中采用離子源進行離子輔助。
6.根據權利要求4或5所述的一種硅基底類金剛石保護膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中沉積的碳源氣體為丁烷，稀釋氣體為氬氣。
7.根據權利要求6所述的一種硅基底類金剛石保護膜的制備方法，其特征在于，丁烷濃度為60～150％。
8.根據權利要求7所述的一種硅基底類金剛石保護膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中等離子體化學氣相沉積設備的沉積功率為600～1500W，沉積時間為7～13min。
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