[發明專利]故障指示器全橋翻盤電路

有效

• 申請號: 201811574363.0
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN109634181B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 穆業森;劉秀全
• 申請（專利權）人: 天津浩源匯能股份有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042;H03K17/687
• 代理公司: 天津企興智財知識產權代理有限公司 12226
• 代理人: 石倩倩

本發明提供了一種故障指示器全橋翻盤電路，包括控制器，NMOS管G極經電阻R7連接至所述控制器的第27引腳、經電阻R3連接至三極管T1的基極，所述三極管T1集電極經電阻R2連接至PMOS管G4的G極組成翻盤控制電路；NMOS管G2的極分別經電阻R9連接至所述控制器的第30引腳、經電阻R4連接至三極管T2的基極，三極管T2集電極經電阻R1連接至PMOS管G3的G極，PMOS管D極與PMOS管G4的D極之間通過驅動線圈L1連接，組成復位控制電路。本發明所述的故障指示器全橋翻盤電路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的開關受控，充放電更快，MOS管導通電阻很小，壓降幾乎為0，因此可以充分利用電容電壓，從而簡化電路、節約板材空間，降低了經濟成本。

技術領域

本發明屬于指示器電路領域，尤其是涉及一種故障指示器全橋翻盤電路。

背景技術

現有的外施故障指示器翻盤電路原理為指示器檢測到線路故障后CPU發出翻盤信號，MCR16-100可控硅導通對應電容進行放電，從而指示器翻盤，但是目前存在如下：1.可控硅的關斷點苛刻，電容放電必須放到關斷點電壓一下才能夠進行翻盤動作；2.翻盤、復歸使用兩個電容，浪費板材空間；3.可控硅的管壓降較大，可利用電壓小；4.高溫時電容的漏電流變大，電容充不滿；低溫時電容容量降低，從而導致在高低溫條件時會影響電容容量造成翻盤不可靠的現象。

發明內容

有鑒于此，本發明旨在提出一種故障指示器全橋翻盤電路，以提供一種電路簡單、充放電更快、開關受控、可靠性高的故障指示器全橋翻盤電路。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種故障指示器全橋翻盤電路，包括控制器、NMOS管、PMOS管、三極管、電容C1和電容C2，所述控制器是型號為MSP430F247T的單片機，NMOS管G1的S極接地，D極連接至PMOS管G3的D極，所述NMOS管G1的G極經分別經電阻R7連接至所述控制器的第27引腳、經電阻R3連接至三極管T1的基極，所述三極管T1的發射極接地，集電極分別經電阻R5連接至電阻R7的第一端、經電阻R2連接至PMOS管G4的G極，所述PMOS管G4的S極連接至所述電阻R7的第一端，組成翻盤控制電路；所述PMOS管G4的D極連接至NMOS管G2的D極，所述NMOS管G2的S極接地，G極分別經電阻R9連接至所述控制器的第30引腳、經電阻R4連接至三極管T2的基極，所述三極管T2的發射極接地，集電極分別經電阻R6連接至所述電阻R7的第一端、經電阻R1連接至所述PMOS管G3的G極，所述PMOS管G3的S極連接至所述電阻R7的第一端，D極與所述PMOS管G4的D極之間通過驅動線圈L1連接，組成復位控制電路；所述電容C1和所述電容C2并聯后一端接地，另一端連接至所述電阻R7的第一端，所述電阻R7的第二端連接至短節點CH1的第二接口，所述短節點CH1的第一接口連接至+9V。

進一步的，所述電容C1和所述電容C2均為電解電容。

進一步的，所述NMOS管G1和G2的型號相同，均為Si2302。

進一步的，所述PMOS管G3和G4的型號相同，均為Si2301。

進一步的，所述三極管T1和三極管T2的型號相同，均為c9014。

進一步的，所述驅動線圈L1的規格為1300T/0.16mm。

相對于現有技術，本發明所述的故障指示器全橋翻盤電路具有以下優勢：

(1)本發明所述的故障指示器全橋翻盤電路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的開關受控，充放電更快，MOS管導通電阻很小，壓降幾乎為0，因此可以充分利用電容電壓，從而簡化電路、節約板材空間，降低了經濟成本。

(2)本發明所述的故障指示器全橋翻盤電路，翻盤、復歸使用電容C1與電容C2并聯，節省板材空間。