[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811573030.6
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN109962072B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 宿口泰弘;藤井孝
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H10B41/00
• 分類號: H10B41/00;H10B43/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝

1.一種半導體裝置，包括：

使用基本單元來設計的功能單元，所述基本單元包括：設置在半導體基底的主表面上并且具有預定圖案的第一布線層，以及設置在所述第一布線層上并且具有預定圖案的第二布線層，所述功能單元與通過在設計階段改變所述第二布線層的圖案而被修改為具有預定功能的所述基本單元相對應，

其中所述功能單元具有第一布局和第二布局，所述第一布局和所述第二布局在與所述主表面平行的平面中在一個方向上并置設置，

其中通過將屬于所述第一布局和所述第二布局的相應的所述第二布線層的導線耦合在一起，來為所述功能單元提供所述預定功能，

其中所述第一布局包括：

第一晶體管；

第二晶體管，在所述平面中在與所述一個方向交叉的另一方向上與所述第一晶體管并置設置，并且具有與所述第一晶體管的導電類型不同的導電類型；

第一導線，將所述第一晶體管的任何一個擴散層耦合到第一電源；

第二導線，耦合到所述第一晶體管的另一擴散層；

第三導線，將所述第二晶體管的任何一個擴散層耦合到第二電源；

第四導線，耦合到所述第二晶體管的另一擴散層；以及

第五導線，在所述另一方向上設置在所述第一晶體管與所述第二晶體管之間，并且耦合到所述第一晶體管和所述第二晶體管的共用柵電極，

其中所述第二布局包括：

第三晶體管；

第四晶體管，在所述另一方向上與所述第三晶體管并置設置，并且具有與所述第三晶體管的導電類型不同的導電類型；

第六導線，耦合到所述第三晶體管的任何一個擴散層；

第七導線，耦合到所述第三晶體管的另一擴散層；

第八導線，耦合到所述第四晶體管的任何一個擴散層；

第九導線，耦合到所述第四晶體管的另一擴散層；以及

第十導線，在所述另一方向上設置在所述第三晶體管與所述第四晶體管之間，并且耦合到所述第三晶體管和所述第四晶體管的共用柵電極，

其中每個均屬于所述第一布線層的所述第一導線、所述第二導線、所述第三導線和所述第四導線在所述另一方向上延伸，以及

其中每個均屬于所述第一布線層的所述第五導線、所述第六導線、所述第七導線、所述第八導線、所述第九導線和所述第十導線在所述一個方向上延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述功能單元包括：

屬于所述第二布線層并且將所述第一晶體管的所述一個擴散層和所述另一擴散層以及所述第三晶體管的所述另一擴散層耦合在一起的導線；

屬于所述第二布線層并且將所述第二晶體管的所述一個擴散層和所述另一擴散層、所述第四晶體管的所述另一擴散層、以及所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述柵電極耦合在一起的導線；以及

屬于所述第二布線層并且將所述第三晶體管的所述一個擴散層和所述第四晶體管的所述一個擴散層耦合在一起的導線，以及

其中所述功能單元具有反相器的功能。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述功能單元包括：

屬于所述第二布線層并且將所述第一晶體管的所述一個擴散層、所述第二晶體管的所述一個擴散層、所述第三晶體管的所述一個擴散層、以及所述第四晶體管的所述一個擴散層耦合在一起的導線；

屬于所述第二布線層并且將所述第一晶體管的所述另一擴散層和所述第三晶體管的所述另一擴散層耦合在一起的導線；

屬于所述第二布線層并且將所述第二晶體管的所述另一擴散層和所述第四晶體管的所述另一擴散層耦合在一起的導線；以及

屬于所述第二布線層并且將所述第一晶體管和所述第二晶體管的所述柵電極以及所述第三晶體管和所述第四晶體管的所述柵電極耦合在一起的導線，以及

其中所述功能單元具有反相器的功能，所述反相器具有雙重驅動能力。