[發明專利]半導體裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201811572406.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN110752252B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 韋維克;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;任默聞

本發明提供一種半導體裝置及其形成方法，該方法包括提供一半導體基板。半導體基板包括低電位預定區、高電位預定區及高電位接面終端預定區，且上述高電位接面終端預定區位于上述低電位預定區與上述高電位預定區之間。上述方法亦包括形成隔離區于上述高電位接面終端預定區與上述高電位預定區中。上述隔離區具有第一導電型態，且上述隔離區具有第一側以及相對于上述第一側的第二側。上述方法亦包括形成多個彼此分離的第一注入區于上述隔離區第一側的高電位接面終端預定區中。這些第一注入區具有相反于上述第一導電型態的第二導電型態。上述方法亦包括對這些第一注入區進行熱處理工藝以于上述隔離區第一側的高電位接面終端預定區中形成至少一第一阱。

技術領域

本發明實施例是有關于一種半導體裝置的形成方法，且特別有關于一種具有高電位區與低電位區的半導體裝置的形成方法。

背景技術

在半導體裝置的制造中，有時須將高壓集成電路與低壓集成電路同時整合至半導體裝置中。在此類的半導體裝置中，高壓操作的區域可稱為高電位區，低壓操作的區域可稱為低電位區。高電位區中的高壓集成電路以及低電位區中的低壓集成電路之間通?？山浻呻娖揭莆黄?level?shifter)交換信號。此外，高電位區與低電位區之間可設置有用以承受半導體裝置所需求的擊穿電壓的隔離結構。

現有的將高壓集成電路與低壓集成電路整合在一起的半導體裝置雖然大抵上可滿足一般的需求，但卻并非在各方面都令人滿意。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體裝置的形成方法。上述方法包括提供一半導體基板。上述半導體基板包括低電位預定區、高電位預定區以及高電位接面終端預定區，且上述高電位接面終端預定區位于上述低電位預定區與上述高電位預定區之間。上述方法亦包括形成隔離區于上述高電位接面終端預定區與上述高電位預定區中。上述隔離區具有第一導電型態，且上述隔離區具有第一側以及相對于上述第一側的第二側。上述方法亦包括形成多個彼此分離的第一注入區于上述隔離區第一側的高電位接面終端預定區中。這些第一注入區具有相反于上述第一導電型態的第二導電型態。上述方法亦包括對這些第一注入區進行熱處理工藝以于上述隔離區第一側的高電位接面終端預定區中形成至少一第一阱。

本發明實施例亦提供一種半導體裝置。上述半導體裝置包括半導體基板。上述半導體基板包括低電位區、高電位區以及高電位接面終端區，且上述高電位接面終端區位于上述低電位區與上述高電位區之間。上述半導體裝置亦包括設置于上述高電位接面終端區與上述高電位區中的隔離區。上述隔離區具有第一導電型態，且上述隔離區具有第一側以及相對于上述第一側的第二側。上述半導體裝置亦包括設置于上述隔離區第一側的上述高電位接面終端區中的第一阱。上述第一阱具有相反于上述第一導電型態的第二導電型態。上述第一阱具有低摻雜濃度區，且上述低摻雜濃度區位于上述第一阱的第一高摻雜濃度區與第二高摻雜濃度區之間。

本發明實施例亦提供一種半導體裝置。上述半導體裝置包括半導體基板。上述半導體基板包括低電位區、高電位區以及高電位接面終端區，且上述高電位接面終端區位于上述低電位區與上述高電位區之間。上述半導體裝置亦包括設置于上述高電位接面終端區與上述高電位區中的隔離區。上述隔離區具有第一導電型態，且上述隔離區具有第一側以及相對于上述第一側的第二側。上述半導體裝置亦包括設置于上述隔離區第一側的上述高電位接面終端區中的多個第一阱。這些第一阱彼此分離。這些第一阱具有相反于上述第一導電型態的第二導電型態。

附圖說明

以下將配合所附圖式詳述本發明實施例。應注意的是，各種特征并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，元件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本發明實施例的技術特征。

圖1、圖2、圖3以及圖4A為一系列的上視圖，用以說明本發明一些實施例的半導體裝置的形成方法。

圖4B為沿著圖4A的剖面線A-A’繪示而得的剖面圖。

圖5為根據本發明一些實施例繪示出半導體裝置50的剖面圖。