[發明專利]一種基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法在審
| 申請號: | 201811571930.7 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN109712895A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 付磊;田愛民;劉洪濤 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十七研究所 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 于曉波 |
| 地址: | 110032 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蓋板 金錫合金焊料 平行縫焊密封 陶瓷外殼 裝配體 管殼 密封 集成電路電子封裝 平行縫焊機 氣密性檢測 電極壓力 緊密貼合 脈沖周期 平行縫焊 施加壓力 陶瓷管殼 對齊 焊料環 放入 縫焊 檢漏 脈寬 預烘 | ||
1.一種基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:該方法包括如下步驟:
(1)將陶瓷管殼和蓋板放入平行縫焊機中進行預烘培,以去除其中的水汽及其他氧化物;預烘焙后取出;
(2)將帶有焊料環的蓋板放置在管殼上并對齊,形成裝配體;
(3)對裝配體施加壓力,使蓋板與管殼之間緊密貼合;
(4)采用平行縫焊進行密封。
2.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:步驟(1)中,所述預烘培的溫度為125℃,預烘培時間為24h。
3.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:步驟(3)中,所施加壓力值為1.5磅。
4.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:步驟(4)中,所述平行縫焊過程工藝參數為:功率1300-1500W、脈寬5-7ms、脈沖周期60-80ms、電極壓力100-150N、縫焊速度1.0-1.5mm/s。
5.根據權利要求4所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:步驟(4)中,所述平行縫焊過程工藝參數為:功率1380-1420W、脈寬5-7ms、脈沖周期70-78ms、電極壓力110-135N、縫焊速度1.0-1.3mm/s。
6.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:所述蓋板為4J42合金或4J29合金;所述焊料環為AuSn合金,AuSn合金中Au含量為80wt.%,Sn含量為20wt.%;焊料環厚度50μm。
7.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:所述陶瓷管殼上待密封區域表面依次鍍有鎳層和金層,鎳層為內層,鎳層厚度1.3-8.9μm,金層為最外層,金層厚度1.3-5.7μm。
8.根據權利要求1所述的基于金錫合金焊料環的陶瓷外殼平行縫焊密封方法,其特征在于:采用該方法密封后,氣密性檢測結果:檢漏率小于5x10-9Pa·mm3/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





