[發(fā)明專利]半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)以及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811570746.0
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN109449269A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾頎堯;邢琨;紀秉夆;汪瓊;冷鑫鈺;陳柏松
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭瑋;李雙皓

1.一種半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底(10)；

緩沖層(20)，設(shè)置于所述襯底(10)；

第一層氮化鎵(30)，設(shè)置于遠離所述襯底(10)的所述緩沖層(20)的緩沖層表面(210)；

第一層氮化硅(40)，具有多個間隔設(shè)置的第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)，且多個所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)設(shè)置于遠離所述緩沖層(20)的所述第一層氮化鎵(30)的第一層氮化鎵表面(310)，且相鄰的所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)之間設(shè)置有微孔(420)；

第二層氮化鎵(50)，具有多個間隔設(shè)置的第二氮化鎵微結(jié)構(gòu)(510)，每個所述第二氮化鎵微結(jié)構(gòu)(510)設(shè)置于所述微孔(420)，且每個所述第二氮化鎵微結(jié)構(gòu)(510)的厚度大于每個所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)的厚度；

第二層氮化硅(60)，具有多個間隔設(shè)置的第二氮化硅微結(jié)構(gòu)(610)，且多個所述第二氮化硅微結(jié)構(gòu)(610)設(shè)置于遠離所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)的所述第二氮化硅微結(jié)構(gòu)(510)的第二氮化硅微結(jié)構(gòu)表面(511)；

第三層氮化鎵(70)，設(shè)置于遠離所述第一層氮化鎵(30)的所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)的第一氮化硅微結(jié)構(gòu)表面(411)，且所述第三層氮化鎵(70)設(shè)置于遠離所述第二氮化鎵微結(jié)構(gòu)(510)的所述第二氮化硅微結(jié)構(gòu)(610)的第二氮化硅微結(jié)構(gòu)表面(611)。

2.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)還包括多個間隔設(shè)置的孔洞(80)，每個所述孔洞(80)設(shè)置于每個所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)(410)的所述第一氮化硅微結(jié)構(gòu)表面(411)。

3.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層氮化鎵(30)的厚度為50nm～1.5μm。

4.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三層氮化鎵(70)的厚度為100nm～8μm。

5.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層(20)的厚度為1nm～150nm。

6.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底(10)為藍寶石襯底。

7.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層(20)為氮化鋁緩沖層。

8.如權(quán)利要求1所述的半極性氮化鎵外延層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層(20)的厚度為50nm，所述第一層氮化鎵(30)的厚度為300nm，所述第三層氮化鎵(70)的厚度為4μm。