[發明專利]一種鎂合金表面鍍膜方法及由其制備的抗腐蝕鎂合金在審
| 申請號： | 201811570475.9 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN109487214A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 蔣貴霞;賈建國 | 申請（專利權）人： | 昆山英利悅電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/16 | 分類號： | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鎂合金 鎂合金基材 鎂合金表面 濺射沉積 抗腐蝕 前處理 鍍膜 制備 沉積金屬薄膜 抗腐蝕性能 金屬薄膜 薄膜 金屬 | ||
【權利要求書】：
1.一種鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
對鎂合金基材進行前處理；
在經過前處理的鎂合金基材表面上濺射沉積金屬薄膜；
在沉積金屬薄膜的鎂合金基材表面上濺射沉積Si3N4薄膜。
2.根據權利要求1所述的鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述金屬為選自Nb、Cr、Ta中的任一種。
3.根據權利要求1所述的鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為1μm。
4.根據權利要求1所述的鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述Si3N4薄膜的厚度為2μm。
5.根據權利要求1所述的鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述方法還包括：在沉積金屬薄膜前使用離子源清除鎂合金基材表面的氣體吸附物。
6.根據權利要求1所述的鎂合金表面鍍膜方法，其特征在于，所述方法還包括：沉積Si3N4薄膜時保持濺射室腔體溫度為100℃，鎂合金基材溫度為250℃。
7.一種抗腐蝕鎂合金，其特征在于，包括鎂合金基材、沉積在鎂合金基材上的金屬薄膜以及沉積在金屬薄膜上的Si3N4薄膜。
8.根據權利要求7所述的抗腐蝕鎂合金，其特征在于，所述金屬為選自Nb、Cr、Ta中的任一種。
9.根據權利要求7所述的抗腐蝕鎂合金，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為1μm。
10.根據權利要求7所述的抗腐蝕鎂合金，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為2μm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山英利悅電子有限公司，未經昆山英利悅電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811570475.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
