[發明專利]一種分布式布拉格反射鏡激光器在審
| 申請號： | 201811570399.1 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN111355124A | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 李全杰;劉向英 | 申請（專利權）人： | 西安智盛銳芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/125 | 分類號： | H01S5/125;H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 趙雙 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分布式 布拉格 反射 激光器 | ||
1.一種分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，包括：
襯底層；
過渡層；設置于所述襯底層上，所述過渡層下表面的折射率與所述襯底層的折射率匹配；
第一分布式布拉格反射鏡層，設置于所述過渡層上；所述第一分布式布拉格反射鏡層由高折射率材料層和低折射率材料層交替重復構成，其中，所述述高折射率材料層和/或低折射率材料層為漸變折射率材料層；
n型Ge半導體層；設置于所述第一分布式布拉格反射鏡層上；
n型Ge摻雜層，設置于所述n型Ge半導體層上；
量子阱發光層，設置于所述n型Ge摻雜層上；
電子阻擋層，設置于所述量子阱發光層上；
p型Ge摻雜層，設置于所述電子阻擋層上；
p型Ge半導體層，設置于所述p型Ge摻雜層上；
第二分布式布拉格反射鏡層，設置于所述p型Ge半導體層上，所述第二分布式布拉格反射鏡層由高折射率材料層和低折射率材料層交替重復構成，其中，所述述高折射率材料層和/或低折射率材料層為漸變折射率材料層。
2.根據權利要求1所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述過渡層的厚度為100～800nm。
3.根據權利要求2所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述過渡層為單層、雙層或多層。
4.根據權利要求3所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述過渡層由傳統光學材料和/或漸變折射率材料組成。
5.根據權利要求4所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述高折射率材料層的折射率大于2，所述低折射率材料的折射率小于1.5。
6.根據權利要求5所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述高折射率材料層和低折射率材料層的單層厚度范圍均為30～600nm。
7.根據權利要求6所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射鏡中高折射率材料層和低折射率材料層對數為3對。
8.根據權利要求7所述的分布式布拉格反射鏡激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射鏡中高折射率材料層和低折射率材料層對數為6對。
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