[發明專利]垂直存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811570368.6
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN110896080A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 白石千
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11575
• 分類號: H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11548;H01L27/11556
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波;王新華

本公開提供了垂直存儲器件及其制造方法。一種垂直存儲器件包括：具有外圍電路互連的基板；堆疊在基板上的多個下字線；穿過所述多個下字線的多個垂直溝道結構；第一單元接觸插塞，包括比所述多個下字線中的第一下字線的底表面低的底端并且連接到第一下字線；以及多個下絕緣層和多個第一下模圖案，位于第一下字線下面并從基板起彼此交替地堆疊。

技術領域

本發明構思涉及垂直存儲器件及其制造方法。

背景技術

由于對半導體器件的高集成的需求，已經對采用包括交替堆疊的多個絕緣層和多個導電層的堆疊結構的技術進行了研究。溝道結構可以形成為穿過該堆疊結構。所述多個導電層中的每個可以通過接觸插塞電連接到外圍電路。堆疊結構的高度已經逐漸增大，形成接觸插塞已經逐漸變得困難。

發明內容

本發明構思的示例實施方式針對于提供一種有利于高集成并具有優良的電性質的半導體器件以及形成該半導體器件的方法。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種垂直存儲器件包括：具有外圍電路互連的基板；堆疊在基板上的多個下字線；穿過所述多個下字線的垂直溝道結構；第一單元接觸插塞，包括比所述多個下字線中的第一下字線的底表面低的底端，并且連接到第一下字線；以及下絕緣層和第一下模圖案，位于第一下字線下面且從基板起彼此交替地堆疊。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種垂直存儲器件包括具有外圍電路互連的基板和在基板上的下堆疊結構。下堆疊結構包括堆疊為階梯結構的多個下字線。每個下字線具有下柵線、第一下延長線、第二下延長線、第一下焊盤和第二下焊盤。下堆疊結構還包括垂直溝道結構和單元接觸插塞，垂直溝道結構穿過每個下字線的下柵線，每個單元接觸插塞連接到所述多個下字線中的對應下字線。第一下延長線從下柵線的第一側在第一方向上延伸，第二下延長線從下柵線的第二側在第一方向上延伸，第一下焊盤從第一下延長線的一端在與第一方向相交的第二方向上延伸，第二下焊盤從第二下延長線的一端在第二方向上延伸。每個單元接觸插塞具有比對應的下字線的底表面低的底端。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種垂直存儲器件包括：包含外圍電路互連的基板、第一隔離溝槽、第二隔離溝槽、設置在第一隔離溝槽和第二隔離溝槽之間的多個下字線、堆疊為階梯結構的下模圖案、以及穿過所述多個下字線之一的第一下焊盤的單元接觸插塞。每個下字線包括下柵線、從下柵線的第一側在第一方向上延伸的第一下延長線、從下柵線的第二側在第一方向上延伸的第二下延長線、以及從第一下延長線的一端在與第一方向相交的第二方向上延伸的第一下焊盤。所述多個下字線的第一下焊盤堆疊為階梯結構。每個下模圖案與所述多個下字線中的對應下字線位于從基板起的相同高度處。

根據本發明構思的一示范性實施方式，一種制造垂直存儲器件的方法提供如下。形成具有外圍電路互連的基板。初始下堆疊結構形成在基板上。初始下堆疊結構包括交替且重復地堆疊在基板上的多個下絕緣層和多個下模層。多個初始下焊盤形成在所述多個下模層的一端。所述多個初始下焊盤堆疊為階梯結構。通過部分地去除所述多個下模層和所述多個初始下焊盤而形成多個間隙區域，從而將所述多個下模層的剩余部分形成為多個第一下模圖案以及將所述多個初始下焊盤的剩余部分形成為多個第二下模圖案。通過填充所述多個間隙區域來形成多個字線。所述多個字線具有在所述多個字線的一端處的多個下焊盤。多個垂直溝道結構形成為穿過所述多個字線和所述多個下絕緣層。

附圖說明

圖1是用于描述根據本發明構思的示例實施方式的半導體器件的布局。

圖2是示出圖1的主要部件的布局。

圖3至圖10是示出圖1的某些部件的透視圖。

圖11是沿著圖1的線I-I’和II-II’剖取的截面圖。

圖12是沿著圖1的線III-III’剖取的截面圖。

圖13是沿著圖1的線IV-IV’剖取的截面圖。