[發明專利]用于制造薄層太陽能模塊的方法以及按照該方法可獲得的薄層太陽能模塊

在審

• 申請號: 201811570245.2
• 申請日: 2013-02-15
• 公開（公告）號: CN109994563A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: V.普羅布斯特
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L31/0463
• 分類號: H01L31/0463;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;申屠偉進

本發明涉及一種用于制造光電薄層太陽能模塊的方法，包括步驟：?將背電極層施加在襯底上，?施加至少一個導電的阻擋層，?施加至少一個接觸層，?施加至少一個黃銅礦或鋅黃錫礦半導體吸收層，?施加至少一個緩沖層，?在構造第一分離溝的情況下借助激光處理去除所施加的層，?以至少一種絕緣材料填充第一分離溝，?在構造第二分離溝的情況下去除從阻擋層朝半導體吸收層的方向延伸的層，或在構造線形的導電的第一區域的情況下對從阻擋層朝半導體吸收層的方向延伸的層進行化學相變或熱分解，?在填充和接觸第二分離溝的情況下或在接觸線形的導電的第一區域的情況下施加至少一個透明的前電極層，使得相鄰的太陽能電池被串行布線，以及?在構造第三分離溝的情況下去除從阻擋層朝前電極層的方向延伸的層。此外，本發明涉及按照根據本發明的方法獲得的光電薄層太陽能模塊。

技術領域

本發明涉及一種用于制造光電薄層太陽能模塊的方法以及按照該方法可獲得的薄層太陽能模塊。

背景技術

光電薄層太陽能模塊長期以來已知并且也可在商業上獲得。這種模塊通?；谒^的黃銅礦半導體吸收層的使用、例如Cu(In,Ga)(Se,S)系統，并且為復雜的多層系統。這種薄層太陽能模塊的制造是多階段過程，在該過程中由于眾多的相互作用，所以每個方法階段必須小心地與隨后的方法階段相協調。由設備技術決定，在許多情況下不能或只能非常困難地大規模地制成薄層太陽能模塊，所述薄層太陽能模塊的模塊規格超過1.2m×0.5m的大小。迄今在要應用于各個制造階段中的溫度和反應條件下也并不能排除組分、摻雜材料的玷污或相互擴散或多層系統的各個層的污染。

因此值得期望的是可以動用用于制造光電薄層太陽能模塊的方法，該方法沒有現有技術的缺點并且該方法尤其以少量的過程步驟就足夠了，而且盡管如此并不遭受如由現有技術的方法已知的限制，例如在模塊規格方面的限制。

發明內容

相應地，找到了一種用于制造光電薄層太陽能模塊的方法，包括如下步驟：

- 提供尤其是平面的襯底，

- 將至少一個背電極層施加在襯底上，

- 施加至少一個導電的阻擋層，

- 施加至少一個尤其是歐姆的接觸層，

- 施加至少一個尤其是黃銅礦或鋅黃錫礦半導體吸收層，

- 必要時施加至少一個第一緩沖層，

- 必要時施加至少一個第二緩沖層，

- 第一結構化步驟，包括在構造第一分離溝的情況下借助激光處理（第一激光處理）沿著彼此間隔的線去除所施加的層，所述第一分離溝分離相鄰的太陽能電池，

- 以至少一種絕緣材料填充第一分離溝，

- 第二結構化步驟，包括：

-- 在構造第二分離溝的情況下沿著彼此間隔的線去除從阻擋層朝半導體吸收層或緩沖層的方向延伸的層，第二分離溝與相對應的第一分離溝相鄰或與第一分離溝鄰接，尤其是與第一分離溝平行地伸展，

或

-- 在構造線形的導電的第一區域的情況下沿著彼此間隔的線對從阻擋層朝半導體吸收層或緩沖層的方向延伸的層進行化學相變或熱分解，

- 在填充和接觸第二分離溝的情況下或在接觸線形的導電的第一區域的情況下施加至少一個透明的前電極層，使得相鄰的太陽能電池被串行布線，以及

- 至少一個第三結構化步驟，包括：在構造第三分離溝的情況下沿彼此間隔的線去除從阻擋層朝至少一個前電極層的方向延伸的層，第三分離溝與相對應的第二分離溝相鄰或與第二分離溝鄰接，尤其與第二分離溝平行地伸展。