[發(fā)明專利]帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811569442.2 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN109698135B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉慶川;田愛民;劉洪濤;付磊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第四十七研究所 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/10 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 于曉波 |
| 地址: | 110032 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶金錫 合金 焊料 集成電路 密封 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:所述集成電路密封結(jié)構(gòu)包括蓋板、焊料環(huán)和管殼,管殼上與焊接環(huán)接觸的區(qū)域為管殼密封區(qū);所述密封方法包括如下步驟:
(1)獲取管殼密封區(qū)尺寸;
(2)按比例關(guān)系設計蓋板和焊料環(huán)尺寸;
(3)將設計好的焊料環(huán)點焊在蓋板上,并置于管殼密封區(qū)上形成裝配體;
(4)將所述裝配體用壓力源固定后,放入低溫燒結(jié)爐中進行燒結(jié)處理,形成密封結(jié)構(gòu);
步驟(1)中,所述管殼密封區(qū)為環(huán)形結(jié)構(gòu),外環(huán)與內(nèi)環(huán)均為圓角矩形,管殼密封區(qū)各部分尺寸定義如下:
密封區(qū)外環(huán)長度=A;
密封區(qū)內(nèi)環(huán)長度=B;
密封區(qū)外環(huán)圓角半徑=C;
密封區(qū)內(nèi)環(huán)圓角半徑=D;
步驟(2)中,所述焊料環(huán)為環(huán)狀結(jié)構(gòu),外環(huán)與內(nèi)環(huán)都為圓角矩形,該焊料環(huán)的各部分尺寸定義如下:
焊料環(huán)外環(huán)長度=A’;
焊料環(huán)內(nèi)環(huán)長度=B’;
焊料環(huán)外環(huán)圓角半徑=C’;
焊料環(huán)內(nèi)環(huán)圓角半徑=D’;
步驟(2)中,所述焊料環(huán)的尺寸與所述管殼密封區(qū)尺寸的比例關(guān)系如公式(1):
公式(1)中:
步驟(2)中,所述蓋板為圓角矩形板狀結(jié)構(gòu),蓋板的外邊緣尺寸與焊料環(huán)的外環(huán)尺寸完全一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:所述管殼密封區(qū)的表面依次鍍有鎳層和金層,鎳層為內(nèi)層,鎳層厚度1.3-8.9μm,金層為最外層,金層厚度1.3-5.7μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:所述蓋板為4J42合金或4J29合金;所述的焊料環(huán)為AuSn合金,AuSn合金中Au含量為80wt.%,Sn含量為20wt.%;焊料環(huán)厚度50μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:步驟(3)中,焊料環(huán)四角位置點焊固定在蓋板上;所述壓力源采用不銹鋼彈簧夾,壓力值為1.5磅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:步驟(4)中,所述燒結(jié)處理過程中,低溫爐內(nèi)充入純度大于99.999%的高純氮氣,燒結(jié)溫度333±5℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的帶金錫合金焊料環(huán)的集成電路密封結(jié)構(gòu)的密封方法,其特征在于:該密封方法將焊料環(huán)外側(cè)尺寸在2.9mm×2.9mm至25mm×25mm范圍內(nèi)的電路空洞檢驗合格率提升到99%以上,且空洞寬度在設計寬度的5%以內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子科技集團公司第四十七研究所,未經(jīng)中國電子科技集團公司第四十七研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811569442.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





