[發明專利]一種有機飽和活性炭活化再生工藝在審
| 申請號: | 201811567791.0 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN109589955A | 公開(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發明(設計)人: | 何昭純;李建平 | 申請(專利權)人: | 蘭州何捷環保科技有限公司;何昭純 |
| 主分類號: | B01J20/34 | 分類號: | B01J20/34;B01J20/20;F23G7/06;F23J15/06;B01D53/78;B01D53/40;B01D53/26;B01D53/02;B01D50/00 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259 | 代理人: | 李勤輝 |
| 地址: | 730000 甘肅省蘭州市*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 飽和活性炭 活化再生 廢活性炭 碳化物 微孔 活性炭活化 有機物消除 活性炭 水蒸氣 工程成本 烘干處理 活化設備 氣化反應 水分蒸發 吸附性能 工藝流程 有機物 低沸點 二氧化碳 含水 烘干 揮發 吸附 加熱 蒸汽 氧氣 廢物 再生 排放 恢復 | ||
本發明公開了一種有機飽和活性炭活化再生工藝,屬于有機危廢處理技術領域,S1,利用蒸汽對含水較高的飽和活性炭進行烘干處理,使活性炭內吸附的水分蒸發,同時揮發掉低部分低沸點的有機物;S2,對烘干后的飽和活性炭進行加熱,使飽和活性炭中的有機物消除;S3,通入水蒸氣、二氧化碳、氧氣與廢活性炭微孔中的碳化物進行氣化反應,使微孔中的碳化物得到清理,恢復其吸附性能;本發明采用有機飽和活性炭活化設備對有機危廢活性炭進行活化再生處理,降低有害廢物的產生和排放,且工藝流程較為簡單,有效的提高了活性炭活化再生的效率,降低工程成本,具有廣泛的推廣應用空間。
技術領域
本發明涉及有機危廢處理技術領域,尤其涉及一種有機飽和活性炭活化再生工藝。擬收集處理的為吸附有危廢類別HW02、HW03、HW04、HW06、HW08、HW09、HW11、HW12、HW13共計9類物質的飽和活性炭,及所有以活性炭為載體、吸附物為有機物的HW50類飽和活性炭。
背景技術
活性炭是一種非常優良的吸附劑,具有物理吸附和化學吸附的雙重特性,可以有選擇的吸附氣相、液相中的各種物質,以達到脫色精制、污染物吸收、產品提純等目的。其具有價格低廉、原料易得、使用便捷等優點,目前在化工、電子、涂裝等領域正得到越來越廣泛的應用,但活性炭在吸附使用一定周期后常因吸附飽和、微孔堵塞,活性炭破損等一系列的原因無法繼續使用,因此需對其進行活化再生。
目前隨著國內的化工、環保等產業的迅速發展,活性炭的使用量、排放量將越來越大,現有的危廢處理工藝主要采用焚燒法、填埋法對活性炭進行處理,此種處理方法使得排出的尾氣無法達到國家的標準,而現有的濕廢活性炭在活化再生過程必須配備經濟、有效的廢氣凈化設備,其凈化設備主要包括烘干爐、再生爐、冷凝器、二燃室、余熱鍋爐、急冷塔、噴淋脫酸塔、冷凝器、旋風除塵、布袋除塵器和活性炭吸附,在這些設備依次處理完成之后,方能使處理完畢之后的尾氣達到國家標準,這種設備工藝流程復雜,工程造價較高,維護和調校成本較高,不適于廣泛的推廣應用。
發明內容
本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種有機飽和活性炭活化再生工藝。
為了實現上述目的,本發明采用了如下技術方案:
一種有機飽和活性炭活化再生工藝,具體包括以下步驟:
S1,利用蒸汽對含水較高的飽和活性炭進行烘干處理,使活性炭內吸附的水分蒸發,同時揮發掉低部分低沸點的有機物;
S2,對烘干后的飽和活性炭進行加熱,使飽和活性炭中的有機物消除;
S3,通入水蒸氣、二氧化碳、氧氣與飽和活性炭微孔中的碳化物進行氣化反應,使微孔中的碳化物得到清理,恢復其吸附性能。
作為優選地,在S1中,利用余熱鍋爐產生的蒸汽在150-200℃溫度下對飽和活性炭進行烘干處理,使飽和活性炭的含水量低于15%。
作為優選地,在S1中,烘干飽和活性炭產生的廢氣引入冷凝器內,將廢氣中的水汽分離,廢水導入污水處理站處理,水氣分離后的廢氣與再生爐煙氣引入燃燒室焚燒,燃燒室采用天然氣燃燒加熱,在1050-1100℃溫度下焚燒后,尾氣進入余熱鍋爐,由余熱鍋爐進入極冷塔,溫度從600℃降到200℃,再進入噴淋塔噴淋脫酸,脫酸后尾氣進入冷凝器水器分離,再引入旋風除塵器,經過旋風除塵器、脈沖布袋除塵器除塵,進入活性炭吸附處理后達標排放。
作為優選地,在S2中,飽和活性炭被加熱升溫至300-700℃,不同的有機物隨溫度升高,分別以揮發、分解、碳化、氧化的形式,從活性炭的基質上消除。
作為優選地,在S3中,有機物經高溫碳化后,有相當部分碳化物殘留在活性炭微孔中,用水蒸氣、二氧化碳、氧氣與碳化物進行氣化反應,使殘留碳化物在850-1050℃氣化為二氧化碳、一氧化碳、氫氣。
作為優選地,在S3中,產生的高溫氣體從再生爐引出到燃燒室燃燒,循環供熱。
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