[發(fā)明專利]一種環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng)及控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811567475.3 | 申請日: | 2018-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN109666924A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃翀;唐躍強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 長沙新材料產(chǎn)業(yè)研究院有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/517 | 分類號: | C23C16/517;C23C16/27;C23C16/52;C23C16/54 |
| 代理公司: | 長沙楚為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43217 | 代理人: | 陶祥琲 |
| 地址: | 410205 湖南省長沙市*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波電源 環(huán)形器 控制中心 反射微波功率 溫度測量裝置 測量裝置 供電裝置 體內(nèi) 匹配 微波 測量 接收反饋信號 微波反射功率 系統(tǒng)安全性 反饋 安全使用 發(fā)送控制 反射微波 工作平臺 合成設(shè)備 控制指令 設(shè)備反應(yīng) 實時測量 輸出功率 微波負(fù)載 設(shè)備腔 工作臺 腔體 判定 供電 發(fā)現(xiàn) | ||
一種環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng)及控制方法,其中,環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng),包括:溫度測量裝置、反射微波功率測量裝置、微波電源供電裝置和控制中心;溫度測量裝置用于測量合成設(shè)備腔體內(nèi)工作平臺的溫度并反饋給控制中心;反射微波功率測量裝置用于測量反射微波功率并反饋給控制中心;控制中心用于接收反饋信號并向各器件發(fā)送控制信號或控制指令;微波電源供電裝置用于在設(shè)備反應(yīng)腔體中微波負(fù)載匹配判定為異常時,降低微波電源的輸出功率或切斷微波電源供電。本發(fā)明通過實時測量設(shè)備腔體內(nèi)工作臺溫度和微波反射功率,發(fā)現(xiàn)腔體內(nèi)微波匹配異常情況,并通過降低微波發(fā)生功率或直接關(guān)閉微波電源降低通過環(huán)形器的反射微波的功率,保護(hù)環(huán)形器安全使用,提高系統(tǒng)安全性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng)及控制方法,屬于微波設(shè)備領(lǐng)域,特別是微波化學(xué)氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
環(huán)形器是一種控制微波傳輸方向的設(shè)備,在許多微波系統(tǒng)中常被用于保護(hù)磁控管,特別是在MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition的英文縮寫,中文意思為微波等離子體化學(xué)氣相沉積,以下簡稱“MPCVD”)設(shè)備中,是保護(hù)磁控管的重要器件。MPCVD法不僅可以用于合成金剛石,還適用于很多其他材料的制備,MPCVD法合成金剛石合成設(shè)備的微波系統(tǒng)中磁控管是產(chǎn)生微波的重要器件,其微波輸出的穩(wěn)定性直接影響金剛石產(chǎn)品的性能和批次穩(wěn)定性,同時金剛石合成過程中合成溫度的穩(wěn)定性對于合成金剛石質(zhì)量具有極大地關(guān)系。
由于微波系統(tǒng)中微波輸出功率的性能是由微波電源和磁控管共同決定,在金剛石合成過程可能發(fā)生微波反射功率跳變,特別是在反應(yīng)前后微波功率升降過程中反射微波的變動幅度較大,都可能出現(xiàn)因反射微波功率過高從而擊毀環(huán)形器的情況,環(huán)形器被擊毀后,微波傳輸系統(tǒng)的反射功率將極不穩(wěn)定,同時反射微波持續(xù)沖擊磁控管將影響其工作效率,在此情況下微波反射功率過大將造成磁控管損毀,從而會導(dǎo)致合成工藝不能正常進(jìn)行,也將直接影響合成產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能防止微波系統(tǒng)中環(huán)形器損壞的方法,特別是防止微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備在微波傳輸過程中發(fā)生反射微波功率超過安全值從而擊毀環(huán)形器的環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng)及用于該保護(hù)系統(tǒng)的控制方法。該方法也同樣適合其他的包含環(huán)形器的微波系統(tǒng)。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
提供一種環(huán)形器保護(hù)系統(tǒng),包括:溫度測量裝置、反射微波功率測量裝置、微波電源供電裝置和控制中心;
所述溫度測量裝置用于測量MPCVD合成設(shè)備腔體內(nèi)部工作平臺的溫度并將溫度轉(zhuǎn)換成信號反饋給控制中心;進(jìn)一步的,所述的合成設(shè)備腔體內(nèi)部工作平為基板臺。
所述反射微波功率測量裝置用于測量反射微波功率并將其轉(zhuǎn)換成信號反饋給控制中心;
所述控制中心包括控制計算機(jī)和信號接收處理模塊;所述控制中心與溫度測量裝置以及反射微波功率測量裝置分別相連,用于接收溫度測量裝置和反射微波功率測量裝置的反饋信號,反饋信號經(jīng)信號接收處理模塊處理后,由控制計算機(jī)向各器件發(fā)送控制信號或控制指令;
所述微波電源供電裝置與控制中心連接,用于在MPCVD的反應(yīng)腔體中微波負(fù)載匹配判定為異常時,降低微波電源的輸出功率或者切斷微波電源供電。
進(jìn)一步地,
所述溫度測量裝置為紅外測溫儀。
優(yōu)選地,
為了測量的方便,所述溫度測量裝置為具有集成視頻信號采集功能的紅外測溫儀。
進(jìn)一步地,
所述反射微波功率測量裝置可選為功率計或定向耦合器。
進(jìn)一步地,
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





