[發明專利]一種金屬瓦敷設層壓裝置及方法在審
| 申請號: | 201811566551.9 | 申請日: | 2018-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN111354834A | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 王凱隆;程曉龍;顧鴻揚 | 申請(專利權)人: | 漢能移動能源控股集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048;H02S20/25 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 劉林濤 |
| 地址: | 100107 北京市朝陽*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 敷設 層壓 裝置 方法 | ||
1.一種金屬瓦敷設層壓裝置,設置于真空腔室內,其特征在于,包括:
載臺(1),其上放置有波浪形的金屬板襯底(2);
加熱裝置(3),設置在所述載臺(1)上,所述加熱裝置(3)可直接對所述金屬板襯底(2)加熱;
模壓裝置(4),設置在所述載臺(1)的上方,其上具有彈性不粘壓頭(41)以及與所述彈性不粘壓頭(41)相連的第一驅動裝置(42);
其中,所述彈性不粘壓頭(41)與所述金屬板襯底(2)對應設置,所述第一驅動裝置(42)驅動所述彈性不粘壓頭(41)靠近所述金屬板襯底(2)運動,以將封裝件(5)壓制在所述金屬板襯底(2)上。
2.根據權利要求1所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述第一驅動裝置(42)包括固定在所述真空腔室的腔壁上的液壓缸體,以及與所述彈性不粘壓頭(41)相連的液壓缸伸縮軸。
3.根據權利要求1所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述彈性不粘壓頭(41)包括剛性壓頭本體以及包覆在所述剛性壓頭本體上的彈性保護層。
4.根據權利要求3所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述彈性不粘壓頭的形狀與所述金屬板襯底(2)的形狀相同。
5.根據權利要求4所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述彈性不粘壓頭(41)靠近所述金屬板襯底(2)時,所述彈性不粘壓頭(41)的波峰與所述金屬板襯底(2)的波谷相吻合。
6.根據權利要求5所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述載臺(1)包括:
第二驅動裝置(11);
滾軸帶(12),套設在所述第二驅動裝置(11)上,其中所述滾軸帶(12)在所述驅動裝置(11)的作用下用以輸送所述金屬板襯底(2)。
7.根據權利要求6所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,還包括:定位傳感器,用以定位所述彈性不粘壓頭(41)的邊界區域,所述滾軸帶(12)帶動所述金屬板襯底(2)運動至所述定位傳感器位置時,所述滾軸帶(12)停止運動。
8.根據權利要求7所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述加熱裝置(3)設置在所述滾軸帶(12)上,所述加熱裝置(3)連接有溫控系統。
9.根據權利要求1所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,還包括:抓取裝置(6),設置在所述載臺(1)的一側,用以將所述封裝件(5)放置到所述金屬板襯底(2)上。
10.根據權利要求9所述的金屬瓦敷設層壓裝置,其特征在于,所述抓取裝置(6)包括:
機臺(61),與地面固定連接;
伸縮臂(62),連接在所述機臺(61)上;
電動吸盤(63),連接在所述伸縮臂(62)上,用以吸附所述封裝件(5);
其中,所述電動吸盤(63)上吸附的封裝件(5)在所述伸縮臂(62)的作用下,放置到所述金屬板襯底(2)上。
11.一種金屬瓦敷設層壓的方法,其特征在于,采用權利要求1-10中任一所述的金屬瓦敷設層壓裝置,包括如下步驟:
S1:將封裝件(5)與金屬板襯底(2)對應設置;
S2:啟動所述金屬瓦敷設層壓裝置,將金屬瓦敷設層壓裝置的彈性不粘壓頭(41)以第一壓力值壓覆在所述封裝件(5)上,以使所述封裝件(5)貼緊所述金屬板襯底(2)。
12.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,在S2步驟前,還包括:啟動加熱裝置,設定第一加熱溫度,對所述金屬板襯底(2)進行加熱操作。
13.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,在S2步驟后,還包括如下步驟:啟動加熱裝置,設定第二加熱溫度,其中第二加熱溫度的數值大于所述第一加熱溫度的數值。
14.根據權利要求13所述的方法,其特征在于,在所述“啟動加熱裝置,設定第二加熱溫度,其中第二加熱溫度的數值大于所述第一加熱溫度的數值”步驟后,還包括如下步驟:彈性不粘壓頭(41)以第二壓力值壓覆在所述封裝件(5)上,其中第二壓力值的數值大于第一壓力值的數值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





