[發明專利]在待處理對象表面上注入離子的方法及實現該方法的裝置

有效

• 申請號: 201811566500.6
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN109950118B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: C·米科;P·維利;J-L·貝津;A·庫爾;A·布爾梅
• 申請（專利權）人: 斯沃奇集團研究和開發有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;楊曉光

1.一種用于在放置于真空室(20)中的待處理對象(24)的表面上注入單電荷或多電荷離子的方法，該方法包括同時包含以下項的步驟：

將由離子源(26)產生的離子束(30)注射到所述真空室(20)中，并將該離子束(30)導向所述待處理對象(24)的表面，以及

通過產生在所述真空室(20)中傳播的第一紫外線輻射(36)的第一紫外線輻射源(32)照射所述待處理對象(24)的表面，其中所述第一紫外線輻射(36)從殘留在所述真空室(20)的氣氛中的原子和分子提取電子，并且其中所述電子與位于所述待處理對象(24)的表面上的離子復合。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子源(26)是電子回旋共振型離子源。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述離子注入過程期間，將氣體注射到所述真空室中。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述離子注入過程期間，將氣體注射到所述真空室中。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所注射的氣體是惰性氣體。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所注射的氣體是惰性氣體。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

9.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

10.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

11.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

12.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10⁴Pa與10^-4Pa之間。

13.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)內的氣壓在10^-2Pa與10^-4Pa之間。

14.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，其特征在于，通過產生第二紫外線輻射(46)的第二紫外線輻射源(42)照射所述待處理對象(24)的表面，所述第二紫外線輻射(46)以與所述第一紫外線輻射(36)形成一角度的方向在所述真空室(20)中傳播。

15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待處理對象(24)由不導電或半導電的材料制成。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，制造所述待處理對象(24)的材料選自天然和合成藍寶石、礦物玻璃、聚合物、以及陶瓷。

17.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，制造所述待處理對象(24)的材料是導電材料。