[發明專利]定向自組裝模板轉移方法

在審

• 申請號: 201811565934.4
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN109698125A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 張寶林;韋亞一;孟令款;張正平
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;G03F7/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;謝湘寧

1.一種定向自組裝模板轉移方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在襯底(10)上形成苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物層并進行定向自組裝，以使所述苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物層形成垂直的相分離，得到自組裝模板，所述自組裝模板包括由聚苯乙烯構成的第一區域(20)以及由聚碳酸酯構成的第二區域(30)；

S2，去除所述第一區域(20)，得到由所述第二區域(30)構成的光刻圖形結構，所述光刻圖形結構具有光刻圖案；

S3，將所述襯底(10)表面氧化以形成緩沖層(110)，并以所述光刻圖形結構為掩膜刻蝕所述緩沖層(110)，得到圖形化緩沖層(111)；

S4，以所述圖形化緩沖層(111)為掩膜刻蝕所述襯底(10)，以在所述襯底(10)表面形成納米圖形結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

將苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物旋涂在所述襯底(10)上，得到所述苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物層，優選所述旋涂厚度為35～45nm；

將所述苯乙烯-碳酸酯嵌段共聚物層退火以進行所述定向自組裝，優選退火溫度為160～170℃，優選退火時間為10～20min。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，采用氧等離子體刻蝕工藝去除所述第一區域(20)，優選氣體流量為30～100sccm，優選氣體壓力為8～20mt，優選射頻功率為80～120w，優選刻蝕時間為5～12s。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，將具有所述光刻圖形結構的襯底(10)設置于含氧氛圍中以將所述襯底(10)表面氧化。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氧氛圍為氧氣或空氣。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述表面氧化的時間為1～3h。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述襯底(10)為Si，所述緩沖層(110)為SiO₂。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述緩沖層(110)的厚度為60～100nm。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，干法刻蝕所述襯底(10)，以得到所述納米圖形結構。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括濕法刻蝕去除所述光刻圖形結構和所述圖形化緩沖層(111)的步驟。