[發明專利]一種高線性度微波混頻器

在審

• 申請號: 201811565756.5
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN109687825A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 李罡;章國豪;劉祖華
• 申請（專利權）人: 佛山臻智微芯科技有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14;H04B1/04
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 高崇

1.一種高線性度微波混頻器，其特征在于，包括:跨導級單元、開關級單元和負載級單元；

所述跨導級單元用以提高線性度;所述開關級單元偏置在最佳的開關狀態;所述負載級單能夠增大帶寬并能提高增益;差分中頻信號經過跨導級單元的放大，在開關級單元與本征信號進行混頻，最后差分射頻信號在負載級單元和開關級單元之間輸出。

2.如權利要求1所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述跨導級單元包括主路跨導和輔路跨導；所述主路跨導由差分NMOS管M1、NMOS管M2、電阻R1、電阻R2、電感U、電感L2和電容C1、電容C2構成電容交叉耦合共柵級結構；所述主路跨導NMOS管M1源極分別接電感L1，以及中頻信號的正輸入端，NMOS管M2源極分別接電感L2,以及中頻信號的負輸入端，NMOS管M1柵極分別通過R1電阻接偏置電壓Vm，通過 電容C2連接NMOS管跑的源極，NMOS管M2柵極分別通過R2電阻接偏置電壓Vm，通過電容C2連接NMOS管M1的源極，形成電容交叉耦合共柵極結構。

3.如權利要求2所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述電感L1 =電感L2、電容C2 =電容C1。

4.如權利要求3所述所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述輔路跨導由差分NMOS管M3、NMOS管M4、電阻R3、電阻R4、電感L3、電感L4和電容C3、電容C4構成加載源退化電感的 共源極結構；所述NMOS管M3和NMOS管M4源極分別接電感L3和電感L4,NMOS管M3柵極分別通過電阻R3接 偏置電SVa，通過電容C3連接中頻信號的負輸入端，NMOS管M4柵極分別通過電阻R4接偏置電壓乂3，通過電容C4連接中頻信號的正輸入端，NMOS管M3漏極連接至NMOS管施的漏極，NMOS管M4 漏極連接至NMOS管M2的漏極。

5.如權利要求4所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述電感L3 =電感L4;電容C1=電容C2 =電容C3 =電容C4。

6.如權利要求1所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述開關級單元包括四個NMOS管M5-NMOS管M8和兩個電阻Rs、電阻R6;NMOS管M5和NMOS管M8柵極互聯接本征信號的負輸入端，通過電阻R5接偏置電壓Vg，NMOS管M6和NMOS管M7柵極互聯接本振信號的正輸入端，通過電阻R6接偏置電壓Vg，NMOS管M5和NMOS管M6源極互聯接輸入跨導級的NMOS管M1和NMOS管M3的漏極，NMOS管M7和NMOS管M8源極互相聯接輸入跨導級的NMOS管M2和NMOS管M4的漏極，NMOS管M5和NMOS管M7的漏極互聯，NMOS管M6和NMOS管M8的漏極互聯。

7.如權利要求1所述一種高線性度微波混頻器，其特征在于，所述負載級單元包括兩個電感L5和L6,電感L5—端接電源電壓VDD，另一端與NMOS管MdPNMOS管M7的漏極連接并作為混頻器的射頻正輸出端，電感L6—端接電源電壓VDD，另一端與NMOS管M6和NMOS管M8連接并作為混頻器的射頻負輸出端。