[發明專利]熱力散熱器

有效

• 申請號: 201811565364.9
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN110021568B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: C·P·懷蘭
• 申請（專利權）人: 瞻博網絡公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種散熱器，包括：

殼體，具有第一傳熱系數；以及

液體，與所述殼體熱連通并且被操作性地定位為鄰近熱源，并且具有大于所述第一傳熱系數的第二傳熱系數；

在所述液體與所述熱源之間的彈性膜，所述彈性膜適于抵抗所述液體朝向所述熱源的膨脹并防止所述液體的至少一部分與所述熱源接觸，其中所述膜、所述殼體和所述熱源限定腔體的邊界，其中：

在第一運行工況下，所述液體在與所述熱源的第一熱接觸時具有第一體積；以及

在第二運行工況下，所述液體具有第二體積以及與所述熱源的第二熱接觸，所述第二熱接觸大于所述第一熱接觸，從而在所述第二運行工況下增強對來自所述熱源的熱量的耗散。

2.根據權利要求1所述的散熱器，其中所述液體包括液態金屬。

3.根據權利要求2所述的散熱器，其中所述液態金屬包括液態鎵或液態鎵銦錫合金中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的散熱器，其中：

在所述第一運行工況下，所述液體處于第一溫度，并且具有不延伸到腔體中的第一形狀，所述腔體至少部分地由所述液體和所述熱源界定，所述液體不與所述熱源進行流體接觸；以及

在所述第二運行工況下，所述液體處于大于所述第一溫度的第二溫度，并且具有延伸到所述腔體中的第二形狀，所述液體與所述熱源進行接觸。

5.根據權利要求1所述的散熱器，其中所述殼體限定腔體，所述液體在所述第二運行工況下膨脹到所述腔體中。

6.根據權利要求5所述的散熱器，其中所述腔體包括空氣。

7.根據權利要求1所述的散熱器，其中：

所述第一運行工況對應第一溫度，在所述第一溫度下，所述液體具有所述第一體積并且具有不延伸到所述腔體中的第一形狀；

所述第二運行工況對應大于所述第一溫度的第二溫度，在所述第二溫度下，所述液體具有所述第二體積并且具有延伸到所述腔體中的第二形狀。

8.根據權利要求7所述的散熱器，其中所述液體能夠在包括所述第一形狀和所述第二形狀的一系列形狀中熱膨脹，所述一系列形狀還包括中間形狀，所述液體在所述中間形狀下延伸到所述腔體中的程度比在所述第二運行工況下的程度更小，所述中間形狀發生在介于所述第一溫度與所述第二溫度之間的中間溫度下。

9.根據權利要求7或8所述的散熱器，其中在第三運行工況下，所述液體具有第三體積以及與所述熱源的第三熱接觸，所述第三熱接觸大于所述第一熱接觸并且小于所述第二熱接觸。

10.根據權利要求7或8所述的散熱器，其中所述殼體限定貯存器，所述貯存器容納所述液體中的在不延伸到所述腔體中的所述第一形狀下的大部分液體。

11.一種電路組件，包括：

集成電路；以及

根據前述權利要求中的任一項所述的散熱器，所述散熱器被附設至所述集成電路。

12.根據權利要求11所述的電路組件，其中所述液體在所述第一運行工況下具有第一溫度，并且所述液體在所述第二運行工況下具有第二溫度，所述液體在所述第二運行工況下更靠近所述集成電路，以在所述第二運行工況下通過所述散熱器增強對熱量的耗散。

13.一種制造電子設備的方法，所述方法包括：

提供包括液體的散熱器，所述散熱器具有第一傳熱系數，并且所述液體具有大于所述第一傳熱系數的第二傳熱系數；

將所述散熱器定位在集成電路上，所述集成電路包括操作性地產生熱量的一個或多個電子部件；以及

將所述散熱器固定到所述集成電路，所述散熱器還包括在所述液體與所述集成電路之間的彈性膜，所述彈性膜適于抵抗所述液體朝向所述集成電路的膨脹并防止所述液體的至少一部分與所述集成電路接觸，其中所述膜、殼體和所述集成電路限定腔體的邊界，其中：

在使用中，所述散熱器至少在第一運行工況和第二運行工況下運行，其中：

在所述第一運行工況下，所述液體具有第一體積以及與所述集成電路的第一熱接觸；以及

在所述第二運行工況下，所述液體具有第二體積以及與所述集成電路的第二熱接觸，所述第二體積大于所述第一體積，并且所述第二熱接觸大于所述第一熱接觸，從而在所述第二運行工況下改變從所述一個或多個電路部件耗散的熱量的量。