[發明專利]一種碳布表面均勻生長碳納米管前期的表面處理方法

有效

• 申請號: 201811564691.2
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN109750492B
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 王成國;路瑞佼;王延相;魏化震;秦建杰;姚志強
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: D06M11/74
• 分類號: D06M11/74;D06M11/50;D06M11/65;C23C16/26;C23C16/44;D06M101/40
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

1.一種碳布表面均勻生長碳納米管前期的表面處理方法，其特征在于，包括：

對碳布進行高溫脫漿處理，得脫漿碳布；

采用雙氧水在一定溫度下對上述脫漿碳布進行表面氧化處理，得表面處理后的碳布；

在上述表面處理后的碳布負載上金屬催化劑，通過氣相沉積法CVD在其表面均勻長上一層CNTs，即得CNTs/碳布增強體；

所述表面氧化處理的具體步驟為：將脫漿碳布浸漬于H₂O₂溶液中，放于烘箱中加熱至70-90℃下，保溫1-2h，清洗、干燥，即得；所述H₂O₂溶液的質量濃度為20％-45％；

所述負載上金屬催化劑的具體步驟為：將表面處理后的碳布平鋪于Co(NO₃)₂催化劑前驅體的乙醇溶液中，浸漬10～12min，干燥，即得；

所述氣相沉積法CVD在其表面均勻長上一層CNTs的步驟為：將負載催化劑前驅體的碳布放于CVD爐中，爐壓為真空，升溫和降溫的速率為10-15℃/min，在惰性氣體保護下將爐溫升至500-600℃后，通入C₂H₂、H₂與惰性氣體的混合氣體保溫3-20min后，關閉C₂H₂與H₂，在惰性氣體保護下冷卻至室溫后取出樣品，即得。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫脫漿處理的條件為：在惰性氣體保護下，于350-450℃保溫1-1.5h。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述H₂O₂溶液是在超聲中獲得的均一的溶液，浸漬過程是在不銹鋼容器中進行的，加熱過程是在烘箱中進行的。

4.權利要求1-3任一項所述的方法制備的CNTs/碳布增強體。

5.權利要求4所述的CNTs/碳布增強體在制造航空航天裝備、汽車船舶、武器裝備與民用基礎設施中的應用。