[發明專利]肖特基二極管、NIPT95合金及肖特基二極管的制造方法在審
| 申請號： | 201811562125.8 | 申請日： | 2018-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN109585570A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 劉維;孟鶴;王品東;時新越 | 申請（專利權）人： | 吉林麥吉柯半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;C22C5/04 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐維虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第一導電類型 肖特基二極管 肖特基勢壘層 合金 外延層 襯底 滲入 電子元器件 反向漏電流 制造過程 表面態 導電層 廢片率 金屬鎳 金屬鈦 金屬鉬 覆蓋 制造 金屬 | ||
1.一種肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管包括：
第一導電類型的襯底；
第一導電類型的外延層，覆蓋在所述襯底上；
NIPT95合金，所述NIPT95合金滲入到所述第一導電類型的外延層中形成肖特基勢壘層；
導電層，覆蓋在所述肖特基勢壘層上。
2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述襯底為N型重摻雜半導體，所述外延層為N型輕摻雜半導體。
3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，在所述肖特基勢壘層的邊緣設置有P型半導體。
4.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基勢壘二極管還包括：氧化層，所述氧化層設置在所述外延層和所述導電層之間，并與所述肖特基勢壘層的邊緣接觸。
5.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述導電層包括：第一導電層、第二導電層和第三導電層，所述第一導電層覆蓋在所述肖特基勢壘層上，所述第二導電層覆蓋在所述第一導電層上，所述第三導電層設置在所述第二導電層之上。
6.根據權利要求5所述的肖特基二極管，所述第一導電層為金屬鈦，所述第二導電層為金屬鎳，所述第三導電層為金屬銀。
7.一種NIPT95合金，其特征在于，應用于如權利要求1－6中任一項所述的肖特基二極管，所述NIPT95合金包括95％的PT和5％的NI，所述NIPT95合金用于滲入所述肖特基二極管中的外延層形成肖特基勢壘層。
8.一種用于制造如權利要求1－6中任一項所述的肖特基二極管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述第一導電類型的襯底的上表面覆蓋所述第一導電類型的外延層；
在所述外延層的上表面滲入所述NIPT95合金形成肖特基勢壘層；
在所述肖特基勢壘層的上表面上覆蓋所述導電層。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述外延層的上表面滲入所述NIPT95合金形成所述肖特基勢壘層，包括：
將所述NIPT95合金放置在所述外延層的上表面；
采用450℃氮氧合金加熱所述外延層的上表面與所述NIPT95合金接觸區域，使所述NIPT95合金滲入所述外延層的上表面內形成肖特基勢壘層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在將所述NIPT95合金放置在所述外延層的上表面之前，所述方法還包括：
將所述外延層的上表面進行除污處理。
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