[發(fā)明專利]內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

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• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111048427A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建泛;王建皓
• 申請（專利權(quán)）人: 日月旸電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/522
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一載板，并形成一半固化的第一介電層于該載板上，該半固化的第一介電層具有一第一表面；

提供一元件于該半固化的第一介電層上，且分別自該元件的上方及下方提供一熱源以固化該第一介電層；

形成一第二介電層于該第一介電層上，以覆蓋該元件；以及

形成一圖案化線路層于該第二介電層上，該圖案化線路層與該元件電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該載板為一線路基板。

3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，該線路基板具有一導(dǎo)電線路層，且該第一介電層覆蓋該導(dǎo)電線路層。

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，該元件具有至少一接墊，該制造方法于形成該第二介電層之后，更包括形成一開孔貫穿該第二介電層，以露出該至少一接墊。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，該圖案化線路層自該元件的該接墊延伸于該開孔中及該第二介電層上。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，放置該元件于該第一表面后，該元件的底面直接連接該第一介電層，且該元件的該底面低于該第一表面。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，由該元件上方傳遞該熱能的溫度高于由該元件下方傳遞該熱能的溫度。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，由該元件上方傳遞的該熱能由一預(yù)熱的吸附頭提供，該預(yù)熱的吸附頭吸附該元件并放置該元件于該第一表面，其中該元件將該熱能傳遞至該第一表面，以使該元件220下方的該第一介電層吸附該熱能，且元件周圍的一側(cè)面被加熱的該第一介電層包覆。

9.一種內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一第一介電層，具有一第一表面；

一元件，設(shè)置于該第一介電層上，其中該第一介電層包覆該元件周圍的一側(cè)面，該第一介電層相對于該第一表面具有一包覆高度，該包覆高度大于3微米；

一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上且覆蓋該元件；以及

一圖案化線路層，設(shè)置于該第二介電層上，該圖案化線路層與該元件電性連接。

10.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該包覆高度大于或等于5微米，且小于該元件的厚度。

11.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一線路基板，其中該第一介電層位于該線路基板上。

12.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該元件具有至少一接墊，該第二介電層具有一開孔以露出該至少一接墊，其中該圖案化線路層自該元件的該至少一接墊延伸于該開孔中及該第二介電層上。

13.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該元件的底面直接連接該第一介電層。

14.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該元件的底面低于該第一表面。

15.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層為不含玻纖的樹脂材料。

16.一種內(nèi)埋元件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一第一介電層，具有一第一表面；

一元件，設(shè)置于該第一介電層上，其中該元件的底面低于該第一表面；

一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上且覆蓋該元件；以及

一圖案化線路層，設(shè)置于該第二介電層上，該圖案化線路層與該元件電性連接。