[發明專利]靜電吸盤系統、成膜裝置、吸附方法、成膜方法及電子設備的制造方法

在審

• 申請號: 201811560378.1
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN110578118A
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 柏倉一史;石井博;細谷映之
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社;阿奧依株式會社
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/04;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/12;H01L51/56
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 朱龍

1.一種靜電吸盤系統，用于吸附被吸附體，其特征在于，包括：

包括電極部的靜電吸盤；

用于向上述靜電吸盤的上述電極部施加電位差的電位差施加部；以及

用于控制由上述電位差施加部施加的電位差的電位差控制部，

上述電位差控制部進行控制，使得用于使上述靜電吸盤吸附第1被吸附體的第1電位差、比上述第1電位差小的第2電位差、以及用于經由上述第1被吸附體將第2被吸附體吸附于上述靜電吸盤的第3電位差依次施加于上述電極部，

上述第3電位差為上述第2電位差以上。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述第3電位差為上述第1電位差以下。

3.根據權利要求1所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述電位差控制部以在施加上述第3電位差以后將第4電位差施加于上述電極部的方式進行控制。

4.根據權利要求3所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述第4電位差比上述第3電位差小。

5.根據權利要求4所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述第4電位差為上述第2電位差以上。

6.根據權利要求1所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述電極部包括沿著上述靜電吸盤的第1邊被分割的多個副電極部。

7.根據權利要求6所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述電位差控制部進行控制，以便在上述多個副電極部上，從一端的副電極部沿著上述第1邊向另一端的副電極部依次施加上述第1電位差。

8.根據權利要求6所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述電位差控制部進行控制，以便在上述多個副電極部上，從一端的副電極部沿著上述第1邊向另一端的副電極部依次施加上述第3電位差。

9.根據權利要求1所述的靜電吸盤系統，其特征在于，上述電極部包括被施加第1極性的電位的梳子狀的第1電極、和被施加與上述第1極性相反極性的電位的梳子狀的第2電極，梳子狀的上述第1電極的梳齒部與梳子狀的上述第2電極的梳齒部交替地配置。

10.一種成膜裝置，用于在基板上經由掩模進行成膜，其特征在于，

包括用于吸附作為第1被吸附體的基板和作為第2被吸附體的掩模的靜電吸盤系統，

上述靜電吸盤系統是根據權利要求1至權利要求9中的任一項所述的靜電吸盤系統。

11.一種吸附方法，用于吸附被吸附體，其特征在于，包括：

向靜電吸盤的電極部施加第1電位差而將第1被吸附體吸附于靜電吸盤的階段；

對上述電極部施加比上述第1電位差小的第2電位差的階段；以及

在上述電極部施加上述第2電位差以上的第3電位差，經由上述第1被吸附體將上述第2被吸附體吸附于上述靜電吸盤的階段。

12.根據權利要求11所述的吸附方法，其特征在于，上述第3電位差為上述第1電位差以下。

13.根據權利要求11所述的吸附方法，其特征在于，在施加上述第2電位差的階段與吸附上述第2被吸附體的階段之間，還包括為了使上述第1被吸附體和上述第2被吸附體之間的距離縮小而使上述第1被吸附體或上述第2被吸附體相對移動的階段。

14.根據權利要求11所述的吸附方法，其特征在于，還包括：在吸附上述第2被吸附體的階段以后，向上述電極部施加比上述第3電位差小的第4電位差的階段。

15.根據權利要求14所述的吸附方法，其特征在于，上述第4電位差為上述第2電位差以上。