[發(fā)明專利]一種以氧化鋅做電子傳輸層的無機鈣鈦礦電池制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811559303.1 | 申請日： | 2018-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN111326603A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李金華;鄧文秋;王賢保 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 430063 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化鋅 電子 傳輸 無機 鈣鈦礦 電池 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種以氧化鋅做電子傳輸層的無機鈣鈦礦電池及其制備方法，包括依次設(shè)置的透明導電玻璃基底，ZnO電子傳輸層，CsPbI3無機鈣鈦礦吸光層，空穴傳輸層和金屬對電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳基鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述CsPbI3無機鈣鈦礦吸光層為α-CsPbI3晶型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備過程，其特征在于包括以下全部或部分步驟：
(1)將透明導電玻璃基底依次用洗滌劑、丙酮、異丙醇、乙醇、去離子水超聲清洗，然后用氮氣吹干，得到預處理基底；
(2)將ZnO前驅(qū)體溶液旋涂在所述預處理基底表面，得到ZnO致密層；
(3)在所述ZnO致密層表面沉積CsPbI3鈣鈦礦吸光層后進行退火處理，得到FTO/ZnO/CsPbI3；
(4)在所述步驟(3)得到的FTO/ZnO/CsPbI3表面沉積空穴傳輸層；
(5)在空穴傳輸層上沉積一層金屬對電極，得到無機鈣鈦礦太陽能電池。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
