[發明專利]基板處理裝置的水平調節裝置有效
| 申請號: | 201811554175.1 | 申請日: | 2016-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN109637953B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 尹炳浩;張瓊鎬;盧熙成;崔落句;全商熙 | 申請(專利權)人: | TES股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道龍仁市處*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 水平 調節 | ||
本發明涉及一種基板處理裝置的水平調節裝置。本發明的基板處理裝置的水平調節裝置是具備在腔室的下方且對與安裝基板的晶座連接的支撐板的水平進行調節的裝置,所述基板處理裝置的水平調節裝置的特征在于具備:第一調節單元,其使所述支撐板上下移動特定距離;及第二調節單元,其防止所述支撐板因所述腔室內部的負壓而向上方移動,所述第一調節單元及第二調節單元中的任一者包含彈簧構件。本發明的水平調節裝置及利用其的水平調節方法可非常準確且簡便地調節支撐板的水平。
本發明是2016年3月15日所提出的申請號為201610146209.8、發明名稱為《基板處理裝置的水平調節裝置及利用其的水平調節方法》的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種基板處理裝置的水平調節裝置。
背景技術
在半導體晶片等基板(以下,稱為“基板”)上形成薄膜的情況下,在內部形成有特定空間的腔室內部具備供所述基板安裝的晶座,在所述腔室的上方具備供給各種制程氣體和/或吹掃氣體的氣體供給部而在所述基板蒸鍍薄膜。
圖12表示具有以往構造的水平調節裝置的薄膜蒸鍍裝置10。參照圖12,在腔室12的內部具備氣體供給部14及安裝基板W的晶座16,從所述晶座16朝向下方延伸的延伸部18連接到下方的升降板20。在此情況下,所述升降板20以可沿支撐桿30上下移動的方式具備。例如,以如下方式具備:在所述支撐桿30的下方具備馬達32,所述升降板20可通過根據所述馬達32的驅動而驅動的滾珠螺桿(未圖示)等沿所述支撐桿30上下移動。
所述支撐桿30固定到連接在所述腔室12的下方的支撐板40。此處,所述支撐板40以可水平調節的方式具備在所述腔室12的下方。即,可具備:固定連接部50,其將所述支撐板40與所述腔室12連接固定;及至少一個升降連接部60,其可實現所述支撐板40的微小的升降調節。所述升降連接部60可包含:緊固桿62,其從所述腔室12朝向下方延伸;及一個以上的螺母64,其緊固在所述緊固桿62。因此,在以往的構造中,通過擰緊旋松所述螺母64而使所述支撐板40的一側微小地升降,由此執行所述支撐板40的水平調節。
然而,在如上所述的構造中,所述基板W的上表面與所述氣體供給部14之間的距離會對蒸鍍到所述基板W的表面的薄膜的品質產生非常大的影響。即,如果支撐所述基板W的晶座16未保持水平而所述基板W的上表面與所述氣體供給部14之間的距離變得不均勻,則無法使蒸鍍到所述基板W的表面的薄膜的厚度固定而所述薄膜的品質明顯下降。
為了解決此種問題點,如上所述,在以往的構成中,在對所述晶座16連接的所述支撐板40的水平進行調節的情況下,作業人員手動地旋轉所述螺母64,由此調節所述支撐板40的水平。然而,此種方法是手動地進行動作,因此存在因作業人員的熟練度及作業技術而水平調節程度不同的問題點。另外,所述以往的方法是由作業人員直接手動地進行調節,因此存在難以實現微小調節,進而水平調節準確度非常低的問題點。
發明內容
[發明欲解決的課題]
為了解決如上所述的問題點,本發明的目的在于提供一種可非常準確且簡便地調節所述支撐板的水平的水平調節裝置。
進而,本發明的目的在于提供一種在調節所述支撐板的水平的情況下,可非常精密地實現微小調節的水平調節裝置。
[解決課題的手段]
如上所述的本發明的目的由基板處理裝置的水平調節裝置達成,其是具備在腔室的下方且對與安裝基板的晶座連接的支撐板的水平進行調節的裝置,所述基板處理裝置的水平調節裝置具備:第一調節單元,其使所述支撐板上下移動特定距離;及第二調節單元,其防止所述支撐板因所述腔室的內部的負壓而向上方移動。
此處,所述第一調節單元及第二調節單元中的至少一個可具備:凸輪構件,其對所述支撐板施加垂直方向的力;及驅動部,其具備旋轉軸,所述旋轉軸以與所述凸輪構件的旋轉中心隔開特定距離的方式與所述凸輪構件連接而使所述凸輪構件旋轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





