[發明專利]太陽能電池模塊以及太陽能電池模塊的制造方法在審
| 申請號: | 201811554048.1 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109950344A | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 隅田健一郎;內田真輔 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護構件 端子盒 粘接層 太陽能電池模塊 太陽能電池元件 密封材料 內緣 使用期限 缺口部 透光性 板狀 孔部 面側 俯視 密封 透視 包圍 制造 | ||
1.一種太陽能電池模塊,具備:
具有透光性的板狀的第1保護構件;
第2保護構件;
位于所述第1保護構件和所述第2保護構件之間的太陽能電池元件;
以對所述太陽能電池元件進行密封的狀態位于所述第1保護構件和所述第2保護構件之間的密封材料;
位于所述第2保護構件當中與所述第1保護構件側相反的一側的第1面上的端子盒;
位于所述第2保護構件的所述第1面上的粘接層;和
位于所述粘接層當中與所述第1面側相反的一側的第2面上的第3保護構件,
在俯視透視了所述粘接層、所述第3保護構件以及所述端子盒的情況下,所述粘接層以及所述第3保護構件分別具有:具有以包圍所述端子盒的狀態存在的內緣部分的孔部;或者具有沿著所述端子盒的周圍的一部分存在的內緣部分的缺口部。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,
在俯視了所述第3保護構件以及所述端子盒的情況下,所述第3保護構件以遠離了所述端子盒的狀態存在。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池模塊,其中,
該太陽能電池模塊還具備沿著所述第1保護構件的周緣部以及所述第2保護構件的周緣部存在的框架,
在俯視了所述第3保護構件以及所述框架的情況下,所述第3保護構件的外緣部分以遠離了所述框架的狀態存在。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的太陽能電池模塊,其中,
該太陽能電池模塊具備:
多個布線件;和
多個所述太陽能電池元件,
各所述太陽能電池元件在所述第1保護構件側具有第1電極,并且在所述第2保護構件側具有第2電極,
所述多個布線件以分別將所述第1電極和所述第2電極電連接的狀態位于所述多個太陽能電池元件當中的相鄰的太陽能電池元件之間,
在各所述太陽能電池元件中,所述布線件以具有處于與所述第2電極連接的狀態的連接部的狀態存在,
在俯視透視了所述第3保護構件以及所述連接部的情況下,所述第3保護構件處于與各所述太陽能電池元件中所述連接部的至少一部分重疊的位置。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的太陽能電池模塊,其中,
所述粘接層在俯視透視了所述第2面的情況下具有中央區域和厚度比該中央區域小的周緣區域,
所述第3保護構件以相比處于與所述中央區域相接的狀態的區域更接近所述第2保護構件的狀態位于處于與所述周緣區域相接的狀態的區域中。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊,其中,
該太陽能電池模塊還具備以覆蓋所述第3保護構件的外緣部分的狀態存在的絕緣構件,
所述第3保護構件具有:金屬層;和以夾持該金屬層的狀態存在的第1樹脂層以及第2樹脂層。
7.一種太陽能電池模塊的制造方法,具有:
第1工序,準備修復前的太陽能電池模塊,該修復前的太陽能電池模塊具備:具有透光性的板狀的第1保護構件;第2保護構件;位于所述第1保護構件和所述第2保護構件之間的太陽能電池元件;以對所述太陽能電池元件進行密封的狀態位于所述第1保護構件和所述第2保護構件之間的密封材料;和位于所述第2保護構件當中與所述第1保護構件側相反的一側的第1面上的端子盒;和
第2工序,在所述第1面上,在將粘接層和第3保護構件層疊成所述粘接層以及所述第3保護構件中的孔部的內緣部分或者缺口部的內緣部分沿著所述端子盒的周圍存在的狀態下,通過所述粘接層將所述第3保護構件粘接在所述第1面。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池模塊的制造方法,其中,
在所述第2工序中,在俯視透視了所述粘接層、所述第3保護構件以及所述端子盒的情況下,在所述第3保護構件的所述孔部的內緣部分或者所述缺口部的內緣部分遠離了所述端子盒的狀態下,通過所述粘接層將所述第3保護構件粘接在所述第1面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





