[發明專利]一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法在審
| 申請號: | 201811553430.0 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN111341854A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 陸家圓;李志斌 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻禧能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314205 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 印刷 防斷柵 結構設計 方法 | ||
本發明公開了一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法,包括副柵(1)、主柵(2)和防斷柵(3),其特征在于所述的防斷柵(3)為S形或者鋸齒形,進一步地,所述的S形結構防斷柵的弧度(R)為大于等于2π/3,且小于π;所述的鋸齒形防斷柵的相鄰兩邊的夾角θ為大于等于120o,且小于180o。本發明的有益效果是有效地降低了粗線比例,降低生產成本。
技術領域
本發明涉及晶體硅太陽能電池片的制造領域,具體地涉及一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法。
背景技術
在晶硅太陽能電池片制備工藝流程中,絲網印刷工序是利用絲網印版圖文部分網孔透漿料,非圖文部分網孔不透漿料的基本原理進行印刷。印刷時在絲網印版一端上倒入漿料,用刮印刮板在絲網印版上的漿料部位施加一定壓力,同時朝絲網印版另一端移動。漿料在移動中被刮板擠壓到承印物上,實際印刷漿料的過墨量受開口、網絲、 膜厚的影響較大。針對柵線的防斷柵細線,現有技術中是直線結構,在印刷過程中,隨著印刷次數增加,漿料長久堆積,印刷后形成粗線,影響電池片的質量。
發明內容
本發明針對現有技術中存在的技術問題,目的是提供一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法,達到降低粗線比例的目的。
為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是提供一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法,包括副柵(1)、主柵(2)和防斷柵(3),其特征在于所述的防斷柵(3)為S形或者鋸齒形,進一步地,所述的S形結構防斷柵的弧度(R)為大于等于2π/3,且小于π;所述的鋸齒形防斷柵的相鄰兩邊的夾角θ為大于等于120o,且小于180o。
本發明的有益效果是有效地降低了粗線比例,降低生產成本。
附圖說明
圖1 現有技術中的防斷柵結構圖
圖中:1表示副柵;2表示主柵;3表示防斷柵
圖2 本發明中一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計圖
圖中:1′表示副柵;2′表示主柵;3′表示防斷柵
圖3 本發明中一種改善印刷過墨性的防斷柵結構為S形圖
圖中:R表示S形防斷柵的弧度
圖4本發明中一種改善印刷過墨性的防斷柵結構為鋸齒形圖
圖中:θ表示鋸齒形防斷柵的相鄰兩邊的夾角。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的技術方案作進一步詳細說明。
在本實施方式中,一種改善印刷過墨性的防斷柵結構設計方法,包括副柵(1)、主柵(2)和防斷柵(3),其中防斷柵(3)為S形,其中S形結構防斷柵的弧度(R)為3π/4。采用現有技術中防斷柵結構設計的柵線結構,出現粗線比例為5%;采用本發明中提供的防斷柵結構,出現粗線比例為1%。通過對現有技術中防斷柵設計結構和本發明中提供的防斷柵結構的使用情況進行統計對比分析,可得本發明采用的防斷柵設計的柵線結構在改善粗線方面具有明顯的效果。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江鴻禧能源股份有限公司,未經浙江鴻禧能源股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811553430.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





