[發明專利]層狀結構體和包括其的電子裝置

有效

• 申請號: 201811553215.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN110018591B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 金泰坤;鄭得錫;安珠娫;田信愛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王華芹;金擬粲

1.層狀結構體，包括

包括量子點聚合物復合物的光致發光層；

設置在所述光致發光層上的光吸收層，所述光吸收層包括第二聚合物基體和分散在所述第二聚合物基體中的吸收性濾色材料；以及

設置在所述光致發光層和所述光吸收層之間的含硅的層，

其中所述量子點聚合物復合物包括第一聚合物基體和分散在所述第一聚合物基體中的多個量子點，和所述多個量子點配置成吸收激發光并且以比所述激發光的波長長的波長發射光，

所述吸收性濾色材料配置成吸收通過所述光致發光層的所述激發光并且透射從所述多個量子點發射的光，

其中所述吸收性濾色材料包括無機顏料、無機染料、有機顏料、有機染料、或其組合，

其中所述含硅的層包括：SiO_x，其中x為1-2的數；包含由*-Si-O-Si-*表示的部分的有機硅化合物，其中*為與相鄰原子的連接部分；或其組合，和

其中所述量子點聚合物復合物包括至少一種配置成發射具有預定波長的光的重復段。

2.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述含硅的層具有接觸所述光致發光層的第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，和所述光吸收層直接設置在所述含硅的層的所述第二表面上。

3.如權利要求1所述的層狀結構體，其中

所述光吸收層具有面對所述光致發光層的第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，和

所述層狀結構體進一步包括設置在所述光吸收層的所述第二表面上的光透射基板。

4.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述重復段包括配置成發射第一種光的第一段和配置成發射與所述第一種光不同的第二種光的第二段，

所述光吸收層被圖案化成具有分別對應于所述第一段和所述第二段的第一吸收段和第二吸收段，和

所述第一吸收段配置成透射至少所述第一種光且所述第二吸收段配置成透射至少所述第二種光。

5.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述第一聚合物基體包括交聯聚合物、包含羧酸基團的粘合劑聚合物、或其組合。

6.如權利要求5所述的層狀結構體，其中所述交聯聚合物包括硫醇-烯樹脂、交聯聚(甲基)丙烯酸酯、交聯聚氨酯、交聯環氧樹脂、交聯乙烯基聚合物、交聯有機硅樹脂、或其組合。

7.如權利要求5所述的層狀結構體，其中

所述包含羧酸基團的粘合劑聚合物包括

包括如下的單體組合的線型共聚物：包括羧酸基團和碳-碳雙鍵的第一單體、包括碳-碳雙鍵和疏水部分且不包括羧酸基團的第二單體、和任選的包括碳-碳雙鍵和親水部分且不包括羧酸基團的第三單體；

包含多個芳族環的聚合物，其具有骨架結構并且包括羧酸基團(-COOH)，在所述骨架結構中，兩個芳族環結合至作為所述骨架結構的主鏈中的另一環狀部分的構成原子的季碳原子；或

其組合。

8.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述量子點包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其組合。

9.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述含硅的層具有比所述光吸收層的折射率低的折射率。

10.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述第二聚合物基體包括(甲基)丙烯酸類聚合物、硫醇-烯聚合物、聚氨酯、環氧聚合物、乙烯基聚合物、有機硅聚合物、酰亞胺聚合物、或其組合。

11.如權利要求1所述的層狀結構體，其中所述含硅的層包括沉積硅氧化物層、多孔硅氧化物層、多個硅氧化物顆粒、或其組合。