[發明專利]一種磁電復合薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201811551786.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN111334766B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 連紫薇;門闊;朱婧;魏峰
• 申請（專利權）人: 有研工程技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;H01L43/12;H01L43/10
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青

1.一種磁電復合薄膜材料，其特征在于，包括依次沉積于硅片上的電極層、AlN薄膜和FeGaB薄膜，FeGaB薄膜的化學式Fe₇Ga_1.6B_1.4；所述磁電復合薄膜材料的制備方法包括以下步驟：

（1）按照Fe_0.74Ga_0.26的化學計量比通過熔融鑄造的方法得到鐵鎵靶材；

（2）選取市售的純度為99.99%的AlN靶材和純度為99.99%的B靶材；

（3）選取5×5mm的硅片作為襯底，將硅片進行RCA清洗；

（4）將硅片清洗干凈后，在正面沉積電極層薄膜；

（5）在得到的電極層薄膜上采用磁控濺射法沉積AlN薄膜層，其中，濺射靶材為純度為99.99%的鋁靶，工作氣壓為0.3Pa，濺射功率為100W，加熱溫度為200℃ ，氮氬氣體比為3:7，濺射時間為1h；

（6）在得到的AlN薄膜層上采用磁控濺射法沉積FeGaB薄膜層，其中，濺射靶材為步驟（1）得到的FeGa靶和純度為99.99%的B靶，工作氣壓為0.6Pa，FeGa靶的濺射功率為50W，B靶的濺射功率為50W，保護氣體為氬氣，濺射過程中提供大小為150Oe的平行于硅片方向的外加磁場，濺射時間為1h；即可得到所述磁電薄膜材料。

2.根據權利要求1所述的磁電復合薄膜材料，其特征在于，所述的電極層為Ag、Pt和Mo中的任一種。