[發(fā)明專利]一種顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811551706.1 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN109585519B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 范劉靜;韓立靜;熊志勇;竺笛 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
透明區(qū)域,顯示區(qū)域,所述透明區(qū)域和所述顯示區(qū)域之間設置有第一邊框區(qū)域,其中,所述第一邊框區(qū)域至少半圍繞所述透明區(qū)域;
所述顯示區(qū)域包括呈陣列排布的多個像素單元,處于同一行或者同一列的各所述像素單元通過同一條信號線連接;
所述信號線包括第一信號線和第二信號線,所述第一信號線連接的所述像素單元的個數少于所述第二信號線連接的所述像素單元的個數;
所述第一信號線包括第一子信號線和第二子信號線,所述第一子信號線包括第一連接導線,所述第一連接導線貫穿所述第一邊框區(qū)域,所述第二子信號線包括第二連接導線,所述第二連接導線貫穿所述透明區(qū)域,所述第一連接導線和所述第二連接導線不同層設置;
所述第一子信號線和所述第二子信號線相間設置。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子信號線和所述第二子信號線交替相間排布。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述信號線包括數據信號線、控制信號線,以及電源電壓信號線。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,包括沿所述控制信號線延伸的方向排列的第一像素列,第二像素列;
所述第一像素列包括沿數據信號線延伸的方向交替排列的第一子像素和第二子像素,所述第二像素 列包括第三子像素。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子信號線連接所述第一像素列傳輸數據信號,所述第二子信號線連接所述第二像素列傳輸數據信號。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子像素為紅色子像素,所述第二子像素為藍色子像素,所述第三子像素為綠色子像素。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述控制信號線包括掃描控制信號線和發(fā)光控制信號線;
所述第一子信號線包括掃描控制信號線,所述第二子信號線包括發(fā)光控制信號線。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述掃描控制信號線包括第一掃描控制信號線和第二掃描控制信號線。
9.根據權利要求6或者權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述第一連接導線的材料包括金屬,所述第二連接導線的材料包括透明金屬氧化物。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,至少存在相鄰的兩條所述第二子信號線在所述顯示區(qū)域的線間距為d1,在所述透明區(qū)域的線間距為d2,其中d1<d2。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二連接導線包括第一透明電極線和第二透明電極線,所述第一透明電極線貫穿所述透明區(qū)域的長度為L1,線寬為W1,所述第二透明電極線 貫穿所述透明區(qū)域的長度為L2,線寬為W2,其中,L1<L2,W1<W2。
12.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,包括陣列基板,所述陣列基板包括襯底基板,位于襯底基板上的像素電路,位于所述像素電路一側遠離所述襯底基板的有機發(fā)光器件層;其中,
所述有機發(fā)光器件層包括平坦化層、陰極、發(fā)光層、陽極、像素定義層;
所述第二連接導線與所述陽極同層設置,所述第二連接導線與所述第二子信號線通過過孔電連接。
13.根據權利要求12所述的顯示面板,其特征在于,包括玻璃蓋板,在所述像素層上設置支撐柱,所述支撐柱的一端接觸所述像素定義層,所述支撐柱的另一端接觸所述玻璃蓋板。
14.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括上述權利要求1-13任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





