[發(fā)明專利]觸摸屏組件、觸摸屏組件的制備方法及觸摸裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811551105.0 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109656414B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李武 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 觸摸屏 組件 制備 方法 觸摸 裝置 | ||
本申請公開了一種觸摸屏組件,觸摸屏組件的制備方法及觸摸裝置,觸摸屏組件包括從下至上依次層疊設置的第一保護層,導電層以及第二保護層;其中,所述導電層的上表面設置有粗糙結(jié)構(gòu),所述導電層的上表面與所述第二保護層接觸,所述粗糙結(jié)構(gòu)包括規(guī)則排列的多個第一凹槽,所述粗糙結(jié)構(gòu)用于在入射光透過所述第二保護層照射所述導電層時,使得所述入射光發(fā)生漫反射和/或散射。從而減少發(fā)白現(xiàn)象,并提高透過率及顯示品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種觸摸屏組件、觸摸屏組件的制備方法及觸摸裝置。
背景技術(shù)
近年來,觸摸顯示器技術(shù)發(fā)展突飛猛進,用戶可直接在觸摸顯示器上進行操作,因此收到了越來越多的關(guān)注和應用。
現(xiàn)有技術(shù)中,觸摸顯示器多由具有觸控功能的觸摸屏貼合在顯示面板上制成,而觸摸屏多采用電容式傳感,其主要結(jié)構(gòu)包括隔著絕緣層縱橫交錯的驅(qū)動線和感應線,當手指(或其它物體)靠近或觸摸時,會影響在觸摸點附近相交叉的驅(qū)動線和感應線間的電容,通過檢測驅(qū)動線和感應線間的電容變化就可以識別觸摸點的位置。而主流的觸摸屏結(jié)構(gòu)基本上是驅(qū)動線和感應線同層形成,其中之一采用金屬搭橋或氧化銦錫(ITO)搭橋相互連接的結(jié)構(gòu),金屬搭橋結(jié)構(gòu)在光照下較易看到金屬連接線發(fā)白現(xiàn)象,影響透過率及顯示品質(zhì)。
因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,急需改進。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供一種觸摸屏組件、觸摸屏組件的制備方法及觸摸裝置,可以減少發(fā)白現(xiàn)象,并提高透過率及顯示品質(zhì)。
本申請實施例提供一種觸摸屏組件,包括:
從下至上依次層疊設置的第一保護層,導電層以及第二保護層;其中,
所述導電層的上表面設置有粗糙結(jié)構(gòu),所述導電層的上表面與所述第二保護層接觸,所述粗糙結(jié)構(gòu)包括規(guī)則排列的多個第一凹槽,所述粗糙結(jié)構(gòu)用于在入射光透過所述第二保護層照射所述導電層時,使得所述入射光發(fā)生漫反射和/或散射。
在本申請所述的觸摸屏組件中,所述多個第一凹槽中相鄰第一凹槽之間存在間隔,用于承載所述第二保護層。
在本申請所述的觸摸屏組件中,所述規(guī)則排列的多個第一凹槽的截面形狀為鋸齒形狀。
在本申請所述的觸摸屏組件中,形成所述鋸齒形狀的第一凹槽的截面形狀為三角形、矩形或者弧形中的至少一種。
在本申請所述的觸摸屏組件中,所述第一凹槽的水平寬度為50納米~5微米,所述第一凹槽的豎直深度為10納米~50納米。
在本申請所述的觸摸屏組件中,如上所述的粗糙結(jié)構(gòu)還包括:
規(guī)則排列的多個第二凹槽,所述第二凹槽與所述第一凹槽交錯設置。
在本申請所述的觸摸屏組件中,所述第一保護層的豎直厚度為10納米~40納米,所述第二保護層的豎直厚度為10納米~50納米,所述導電層的豎直厚度為50納米~400納米。
本申請實施例還提供一種觸摸屏組件的制備方法,包括:
蒸鍍形成第一保護層;
在所述第一保護層上蒸鍍一導電層,其中,對所述導電層做圖案化處理,以使所述導電層上形成粗糙結(jié)構(gòu);
在所述粗糙結(jié)構(gòu)上蒸鍍第二保護層,以形成所述觸摸屏組件;
其中,所述粗糙結(jié)構(gòu)包括規(guī)則排列的多個第一凹槽,所述粗糙結(jié)構(gòu)用于在入射光透過所述第二保護層照射所述導電層時,使得所述入射光發(fā)生漫反射和/或散射。
在本申請所述的觸摸屏組件的制備方法中,圖案化處理為等離子體濺射處理,蝕刻處理或激光光刻處理中的至少一種。
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