[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法以及液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 201811551037.8
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109979945A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;張艷鳳

1.一種薄膜晶體管基板，具備：

基底基板；以及

薄膜晶體管，其具有：柵極電極，其設置在上述基底基板上；柵極絕緣膜，其以覆蓋上述柵極電極的方式設置；半導體層，其以與上述柵極電極重疊的方式設置在上述柵極絕緣膜上；以及源極電極和漏極電極，其以各自一部分連接到上述半導體層的方式并且以在上述半導體層上相互相對的方式設置，

上述薄膜晶體管基板的特征在于，

上述半導體層具有：第1半導體層，其包括第1氧化物半導體；以及第2半導體層，其以覆蓋上述第1半導體層的方式設置，包括第2氧化物半導體。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，

上述第1氧化物半導體和上述第2氧化物半導體各自包括銦、鎵、鋅以及氧，

在上述第1氧化物半導體中，銦的組成比大于鎵和鋅的各組成比，

在上述第2氧化物半導體中，鎵的組成比大于銦和鋅的各組成比。

3.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備：

權利要求1或2所述的薄膜晶體管基板；

相對基板，其與上述薄膜晶體管基板相對地配置；以及

液晶層，其設置在上述薄膜晶體管基板與上述相對基板之間。

4.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，包含：

第1圖案化工序，在基底基板上形成導電膜，使用第1光掩模將上述導電膜圖案化，由此形成柵極電極；

柵極絕緣膜成膜工序，以覆蓋上述柵極電極的方式形成柵極絕緣膜；

第2圖案化工序，在上述柵極絕緣膜上形成包括第1氧化物半導體的第1半導體膜，使用第2光掩模將上述第1半導體膜圖案化，由此形成第1半導體層；

第3圖案化工序，以覆蓋上述第1半導體層的方式形成包括第2氧化物半導體的第2半導體膜，使用第3光掩模將上述第2半導體膜圖案化，由此以覆蓋上述第1半導體層的方式形成第2半導體層；以及

第4圖案化工序，以覆蓋上述第1半導體層和上述第2半導體層的方式形成導電膜，使用第4光掩模并通過干式蝕刻將上述導電膜圖案化，由此形成源極電極和漏極電極。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，

上述第1氧化物半導體和上述第2氧化物半導體各自包括銦、鎵、鋅以及氧，

在上述第1氧化物半導體中，銦的組成比大于鎵和鋅的各組成比，

在上述第2氧化物半導體中，鎵的組成比大于銦和鋅的各組成比。