[發(fā)明專利]一種二維AMR開關傳感芯片制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811550796.2
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109490796A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 余濤;楊華;柴美榮
• 申請（專利權）人: 貴州雅光電子科技股份有限公司
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 劉楠

1.一種二維AMR開關傳感芯片制備方法，其特征在于：該方法該方法采用在二維AMR開關傳感芯片的含IC電路的晶圓上直接生長敏感單元，然后經(jīng)過真空磁場退火工藝處理，退火時，保證設備所加的磁場在300Gauss以上，磁場方向與敏感單元成45°角，退火時間保持在3h以上；得敏感單元電橋的輸出模式為：在零磁場時輸出端Vout=0V，當芯片處于X方向的外加飽和磁場環(huán)境下，Vout>15mV，當芯片處于Y方向的外加飽和磁場環(huán)境下，Vout <-15mV，經(jīng)過IC電路的數(shù)模轉換處理后，使得芯片最終的輸出結果是，在零磁場時芯片輸出電壓0V，在x方向飽和磁場環(huán)境下芯片輸出電壓為+VIN，在y方向飽和磁場環(huán)境下芯片輸出電壓為-V_IN，最終結果是芯片能夠檢測x、y兩個方向的外磁場，再生長鈍化層及電極，最后封裝成單一芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述的二維AMR開關傳感芯片制備方法，其特征在于：采用梯形結構作為敏感單元與引出電極的互連結構，梯形上底邊長為15-25um，下底邊長為35-45um，確保良好的歐姆接觸。

3.一種二維AMR開關傳感芯片，包括Si基體，其特征在于：在Si基體中部上方設置含IC電路的晶圓，在IC電路的晶圓直接生長AMR敏感單元，在AMR敏感單元設置鈍化層，AI電極包裹IC電路、AMR敏感單元和鈍化層且該AI電極與IC電路采用歐姆連接，該AI電極位于Si基體上端。