[發明專利]一種單晶材料、制備方法及其應用有效
| 申請號： | 201811550096.3 | 申請日： | 2018-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN111334848B | 公開（公告）日： | 2022-03-22 |
| 發明（設計）人： | 柴國良;周安宜;林晨升;程文旦;張浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B1/02 | 分類號： | C30B1/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 350002 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種單晶材料的制備方法，其特征在于，所述單晶材料具有式I所示的化學式：
BaxInyZnlSm 式I
其中，x:y:l:m＝10:6:7:26；
所述方法包括：
將含有硫源、鋅源、銦源、鋇源的混合物壓片，于真空密閉條件下，加熱至850～980℃，恒溫20～60小時，降溫至室溫，得到所述單晶材料；
所述加熱的時間為5～50小時；
所述加熱的升溫速率為20～200℃/h；
所述降溫為以0.8℃/h的降溫速率降溫至880℃，然后10～20h降溫至室溫；
所述單晶材料的體積為6×6.5×4.5mm3。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述單晶材料屬四方晶系，空間群I-42m，單胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝2。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述單晶材料的化學式為Ba10In6Zn7S26；單胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝2。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述單晶材料的透過波段范圍為0.38～15μm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫源中硫元素、鋅源中鋅元素、銦源中銦元素、鋇源中鋇元素的摩爾比為26～30:6～7:6～7:9～10。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫源中硫元素、鋅源中鋅元素、銦源中銦元素、鋇源中鋇元素的摩爾比為26:7:6:10。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硫源選自BaS、In2S3、ZnS、單質S中的至少一種；
所述鋅源選自ZnS、單質Zn中的至少一種；
所述銦源選自In2S3、單質In中的至少一種；
所述鋇源選自BaS、單質Ba、醋酸鋇中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
將BaS、In2S3、ZnS按照摩爾比10:3:7混合，壓片，置于真空密閉容器中，加熱10小時至920℃，恒溫50小時，以0.8℃/h的降溫速率降溫至880℃，然后20小時降溫至室溫，得到所述單晶材料。
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