[發(fā)明專利]分割裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811550001.8 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN110010522A | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 服部篤;植木篤 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B28D5/04 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被加工物 分割裝置 環(huán)狀區(qū)域 加熱 氣體提供單元 按壓 環(huán)狀框架 加熱單元 擴展單元 排氣單元 垂直的 固定部 附著 排出 片材 外周 斷裂 收縮 吸引 隔離 覆蓋 | ||
提供分割裝置,能夠抑制在加熱時從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體的成分附著于被加工物的正面。分割裝置具有:框架固定部(40),其固定被加工物單元(9)的環(huán)狀框架(8);片材擴展單元,其在與被加工物(1)垂直的方向上按壓擴展片(7)的環(huán)狀區(qū)域(101)而使擴展片(7)擴展,從而使被加工物(1)斷裂;加熱單元(60),其對擴展后的擴展片(7)的環(huán)狀區(qū)域(101)進行加熱而使該環(huán)狀區(qū)域收縮;氣體提供單元(70),其在擴展片(7)的加熱期間利用向被加工物(1)的正面提供的提供氣體(150)來覆蓋被加工物(1)的正面,將被加工物(1)與從擴展片(7)產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體(160)隔離;以及吸引排氣單元(80),其在被加工物(1)的外周對產(chǎn)生氣體(160)和提供氣體(150)進行吸引而排出。
技術領域
本發(fā)明涉及將被加工物分割成各個芯片的分割裝置。
背景技術
通常,公知有如下的加工方法:向在正面形成有器件的被加工物(晶片)照射激光光線,沿著分割預定線在內(nèi)部形成改質(zhì)層,通過對粘貼有被加工物的擴展片(劃片帶)進行擴展而以改質(zhì)層為斷裂基點分割成各個芯片。在這種加工方法中,由于對晶片的外周的擴展片進行擴展,因此在擴展后擴展片變得松弛,擴展后的芯片間隔逐漸變窄,在搬送時擴展片搖晃而使芯片彼此摩擦,從而成為缺損的原因。因此,開發(fā)出了對因擴展而松弛的擴展片進行加熱而使擴展片收縮的加工技術和分割裝置(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特許第5791866號公報
但是,在現(xiàn)有的方法中,因加熱擴展片而導致從擴展片產(chǎn)生氣體,該產(chǎn)生氣體的成分有可能附著于被加工物(各芯片)的正面。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提供能夠抑制在加熱時從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體的成分附著于被加工物的正面的分割裝置。
為了解決上述課題并達成目的,本發(fā)明為分割裝置,其對由板狀的被加工物、擴展片和環(huán)狀框架構成的被加工物單元的該擴展片進行擴展而使該被加工物斷裂,該被加工物沿著分割預定線形成有分割起點,該擴展片粘貼著該被加工物,該環(huán)狀框架粘貼著該擴展片的外周,其中,該分割裝置具有:框架固定部,其固定該被加工物單元的該環(huán)狀框架;片材擴展單元,其在與該被加工物垂直的方向上對該被加工物的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該擴展片的環(huán)狀區(qū)域進行按壓而使該擴展片擴展,從而使該被加工物從該分割起點斷裂;加熱單元,其具有加熱部,該加熱部對該擴展后的該擴展片的該環(huán)狀區(qū)域進行加熱而使該環(huán)狀區(qū)域收縮;氣體提供單元,其在該擴展片的加熱期間向該被加工物的正面提供氣體,利用該提供氣體來覆蓋該被加工物的正面,將該被加工物與從該擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體隔離;以及吸引排氣單元,其在該被加工物的外周對該產(chǎn)生氣體和該提供氣體進行吸引而排出。
根據(jù)該結構,具有:氣體提供單元,其在擴展片的加熱期間向被加工物的正面提供氣體,利用該提供氣體來覆蓋被加工物的正面,將被加工物與從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體隔離;以及吸引排氣單元,其在被加工物的外周對產(chǎn)生氣體和提供氣體進行吸引而排出,因此能夠抑制在加熱時從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體的成分附著于被加工物的正面。
在該結構中,該吸引排氣單元的吸氣口也可以配置為與該環(huán)狀區(qū)域?qū)χ貌⑴c該加熱部相鄰。根據(jù)該結構,由于加熱部的加熱而產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體通過與加熱部相鄰的吸氣口而被快速吸引,因此能夠有效地抑制該產(chǎn)生氣體的成分附著于被加工物的正面。
根據(jù)本發(fā)明,具有:氣體提供單元,其在擴展片的加熱期間向被加工物的正面提供氣體,利用該提供氣體來覆蓋被加工物的正面,將被加工物與從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體隔離;以及吸引排氣單元,其在被加工物的外周對產(chǎn)生氣體和提供氣體進行吸引而排出,因此能夠抑制在加熱時從擴展片產(chǎn)生的產(chǎn)生氣體的成分附著于被加工物的正面。
附圖說明
圖1是示出作為本實施方式的分割裝置的加工對象的被加工物的一例的立體圖。
圖2是示出具有圖1所示的被加工物的被加工物單元的一例的立體圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





