[發明專利]濾波器用復合壓電基片及其制備方法

有效

• 申請號: 201811548827.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109660224B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 肖學峰;張學鋒;雷順京;張歡;韋海成
• 申請（專利權）人: 北方民族大學
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/145;H03H3/02
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 周曉梅;孫彥虎

本發明提出一種濾波器用復合壓電基片，包括依次設置的壓電基片層、過渡層、導電層，所述過渡層為鈹膜，所述導電層為鋁膜，本發明采用同樣是六方晶系的鈹或鎂作為過渡膜生長在壓電基片表面上，同種晶格結構的鈹或鎂與壓電基片之間結合良好，解決了鋁膜與壓電基片之間由于晶格結構不同而導致的結合不良的問題；并且，鈹或鎂膜與鋁膜均為金屬膜，二者依靠金屬鍵結合，結合狀態良好。

技術領域

本發明涉及濾波器用基片制備技術領域，尤其涉及一種濾波器用復合壓電基片及其制備方法。

背景技術

在聲表面波器件中，鋁膜由于有比較低的聲阻，是生產聲表面波的最適合的材料。但鋁膜在生長過程中，由于和基體壓電材料晶格不匹配，生長的鋁膜晶格嚴格扭曲，鋁膜應力較大，在聲表面波應用中，由于高頻、高功率的聲電作用下，很容易產生因鋁膜與基體材料分離而導致電極脫落的現象。

而在聲表面波濾波器的蜂窩無線應用中，要求器件能承受大至 1W的發射或接受功率。然而在大電流作用下，由于鋁原子的遷移效應，電極處很容易斷路或短路 ,高功率給基片表面帶來的高溫使器件很易失效。

發明內容

有必要提出一種濾波器用復合壓電基片。

還有必要提出一種復合壓電基片的制備方法。

一種濾波器用復合壓電基片，包括依次設置的壓電基體層、過渡層、導電層，所述過渡層為鈹膜，所述導電層為鋁膜。

一種制備所述復合壓電基片的方法，包括以下步驟：

步驟1、將壓電基體層置于混合酸溶液中浸泡，使基片表面處于疏水狀態，有利于金屬原子在上面的附著；

步驟2、利用磁控濺射在壓電基體層的表面沉積一層過渡層薄膜；

步驟3、利用磁控濺射在過渡層的表面沉積一層導電層。

本發明選擇與聲表面波濾波器的叉指換能器200基片晶格結構相匹配的金屬作為濺射膜材料，以提升叉指換能器的使用壽命和溫度穩定性。

附圖說明

圖1為所述叉指換能器設置于復合壓電基片上的結構示意圖。

圖2為部分復合壓電基片的截面圖。

圖中：復合壓電基片100、壓電基體層10、過渡層20、導電層30、叉指換能器200。

具體實施方式

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

參見圖1、圖2，本發明實施例提供了一種濾波器用復合壓電基片100，包括依次設置的壓電基體層10、過渡層20、導電層30，所述過渡層20為鈹膜，所述導電層30為鋁膜。

進一步，所述過渡層20為鎂膜。

本發明采用金屬鈹或鎂作為過渡膜材料，鈹和鎂均為六方晶系結構，其晶系結構和晶格參數如下表所示：

由于鋁是立方晶系，鈮酸鋰、鉭酸鋰等壓電基片材料是六方晶系，鋁膜在鈮酸鋰、鉭酸鋰上直接生長時，由于二者晶格結構不匹配，且由于鋁膜為金屬膜，壓電基體層10為非金屬材料層，導致生長的鋁膜晶格嚴格扭曲，鋁膜應力較大。

所以，本發明采用同樣是六方晶系的鈹或鎂作為過渡膜生長在壓電基片表面上，同種晶格結構的鈹或鎂與壓電基片之間結合良好，解決了鋁膜與壓電基片之間由于晶格結構不同而導致的結合不良的問題；并且，鈹或鎂膜與鋁膜均為金屬膜，二者依靠金屬鍵結合，結合狀態良好，不易脫落。