[發明專利]OLED像素結構在審
| 申請號: | 201811548758.3 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109671759A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發明(設計)人: | 王義 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素組 子像素 像素行 間隔分布 交替排列 像素 顏色子像素 排列結構 分辨率 混色 | ||
一種OLED像素結構,包括沿第一像素行排列的第一子像素組、沿所述第一像素行與所述第一子像素組交替排列的第二子像素組、沿第二像素行排列的第三子像素組,第一子像素組包括至少兩個間隔分布的第一子像素,第二子像素組包括至少兩個間隔分布的第二子像素,第三子像素組,包括至少一個第三子像素,第一像素行與第二像素行交替排列,每一第三子像素與一第一子像素和一第二子像素相鄰。通過改變OLED像素的排列結構,縮小像素尺寸,從而獲得較高的像素密度,進而提高面板的分辨率;同時,也增大了不同顏色子像素間的距離,有利于降低混色。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED像素結構。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機電致發光)顯示面板包括多個像素,每一個像素中均包括紅、綠、藍三種子像素。三種子像素的有機發光材料不同,在制作過程中,需要通過金屬掩模板在相應的位置上分別對紅、綠、藍三種子像素蒸鍍三種不同的有機材料,同顏色的子像素對應的金屬掩模板需要一組開口,然后調節三種顏色組合的混合比,產生真彩色。
隨著顯示技術的發展,人們對顯示屏的分辨率和亮度要求越來越高,對于高分辨率的顯示面板來說,由于對分辨率的要求提高,子像素發光區域之間的距離要求越來越小,然而,受限于金屬掩模的制造工藝,無法獲得較高的像素密度(pixels per inch)。縮小紅、綠、藍三種子像素的間距,會造成在蒸鍍子像素時不同顏色的子像素發生混色,從而影響畫面的顯示效果。因此,現有技術中的OLED面板的分辨率有待提升。
發明內容
本發明提供一種OLED像素結構,以解決現有的像素結構中,由于通過減小紅、綠、藍三種子像素之間的間距來提高分辨率,會造成蒸鍍子像素時不同顏色的子像素發生混色,從而影響畫面的顯示效果的問題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供一種OLED像素結構,包括:第一子像素組、第二子像素組、以及第三子像素組;所述第一子像素組沿第一像素行排列,所述第一子像素組包括至少兩個間隔相鄰分布的第一子像素;所述第二子像素組沿所述第一像素行與所述第一子像素組交替排列,所述第二子像素組包括至少兩個間隔相鄰分布的第二子像素;所述第三子像素組沿第二像素行排列,包括至少一個第三子像素;其中,所述第一像素行與所述第二像素行交替排列,每一所述第三子像素與一所述第一子像素和一所述第二子像素相鄰。
在本發明的至少一種實施例中,在像素行方向上,所述第三子像素組與所述第一子像素組和所述第二子像素組錯位排列。
在本發明的至少一種實施例中,所述第一子像素組和所述第二子像素組沿第一像素列排列,所述第三子像素組沿第二像素列排列,所述第一像素列和所述第二像素列交替排列。
在本發明的至少一種實施例中,同一所述第一像素行中,相鄰的所述第一子像素組與所述第二子像素組之間的中心線與所述第二像素列重合。
在本發明的至少一種實施例中,所述第一子像素組包括四個第一子像素,所述四個第一子像素呈方形矩陣排列。
在本發明的至少一種實施例中,所述第二子像素組包括四個第二子像素,所述四個第二子像素呈方形矩陣排列。
在本發明的至少一種實施例中,所述第三子像素組包括兩個間隔分布的第三子像素,所述兩個第三子像素按像素列排列。
在本發明的至少一種實施例中,所述第二子像素組的結構與所述第一子像素組的結構相同。
在本發明的至少一種實施例中,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分別為紅色子像素、藍色子像素、以及綠色子像素。
在本發明的至少一種實施例中,所述第一子像素和所述第二子像素均為菱形,所述第三子像素為圓形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





