[發(fā)明專利]濾光片、顯示面板及濾光片制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811548371.8
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109407195A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余文靜
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G09F9/33;G06F3/041
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種濾光片、顯示面板及濾光片制備方法，所述濾光片包括襯底基板及襯底基板上的黑矩陣層和彩色濾光片層，其中，所述黑矩陣層設(shè)置在任意兩個所述彩色濾光片層之間，所述黑矩陣層包括下層黑矩陣層、中間層和上層黑矩陣層，所述黑矩陣層的所述中間層為若干粒子。本發(fā)明中的黑色矩陣為多層不同的結(jié)構(gòu)，這樣光線在經(jīng)過不同的黑色矩陣層時，會被盡可能的吸收，減少光線的透過，從而提高顯示器屏幕的對比度，提高顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種濾光片、顯示面板及濾光片制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有自發(fā)光性、廣視角、高對比、低耗電和制程簡單等優(yōu)點(diǎn)，已成為整個消費(fèi)市場上的主流產(chǎn)品。

移動設(shè)備等其他顯示設(shè)備在使用時，屏幕顯示效果的好壞影響著用戶的使用體驗(yàn)，當(dāng)在光線較弱的室內(nèi)使用時，屏幕的顯示效果較好，但是當(dāng)顯示設(shè)備在室外等一些光線相對強(qiáng)烈的地方使用時，光線使得設(shè)備的對比度降低，屏幕顯示效果的下降。目前，常在屏幕的上方貼附一層偏光片(Polarizer，POL)，但是POL在吸收外界太陽光的同時，也將OLED發(fā)出的光吸收了55％左右，因此，使得大部分顯示設(shè)備的發(fā)光率降低，顯示設(shè)備的對比度下降。或者是在提升設(shè)備對比度時，在彩色濾光片(Color Filter，CF)之間填充低溫黑矩陣(Black Matrix，BM)，以使非發(fā)光區(qū)域的太陽光也被吸收，但是，這種方法由于制程問題，低溫的BM會導(dǎo)致光密度(Optical Density，OD)值不夠大，不能完全吸收外界的太陽光而再次穿透出去。

綜上所述，現(xiàn)有顯示設(shè)備屏幕的對比度較低，不能滿足消費(fèi)者的使用需求。需要提出進(jìn)一步的完善和改進(jìn)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種濾光片、顯示面板及濾光片制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示面板中濾光片中光線的損耗較大，低溫的BM下光密度較低，不能完全吸收外界太陽光，面板的對比度低等問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供了一種濾光片，包括，襯底基板及襯底基板上的黑矩陣層和彩色濾光片層，其中，所述黑矩陣層設(shè)置在任意兩個所述彩色濾光片層之間，所述彩色濾光片只設(shè)置在所述彩色濾光片對應(yīng)的各像素單元之上，所述黑矩陣層包括下層黑矩陣層、中間層和上層黑矩陣層，所述黑矩陣層的所述中間層為若干粒子所組成。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述黑矩陣層的厚度小于所述彩色濾光片層。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述粒子的材料為吸光材料。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述粒子的材料為散光的黑球。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述粒子的直徑小于1000nm。

根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明所提供的所述濾光片。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述顯示面板為觸控面板。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，還提供了一種濾光片的制備方法，包括以下步驟：

S100：在襯底基板上布置彩色濾光片層，將所述彩色濾光片只設(shè)置在所述彩色濾光片對應(yīng)的各像素單元之上；

S101：在襯底基板上的任意兩個所述彩色濾光片層之間設(shè)置開口的黑色矩陣。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述步驟101還包括：

S201：首先設(shè)置下層黑色矩陣層；

S202：再在所述下層黑色矩陣層上設(shè)置一層粒子層；

S203：在所述粒子層上再設(shè)置一層黑色矩陣層。