[發明專利]耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管

在審

• 申請號: 201811547165.5
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN110277450A
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 李熙哲;盧永卓
• 申請（專利權）人: 韓國科學技術院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/552;H01L29/08
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 許振強;杜正國

1.一種耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，用于減少由單粒子效應引起的電流脈沖的影響，其特征在于，包括：

多晶硅柵極層，用于指定柵極區域及至少一個虛擬柵極區域；

源極及漏極；以及

虛擬漏極，能夠施加電壓。

2.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述虛擬漏極分散由入射輻射線引起的電子及空穴的流動。

3.根據權利要求2所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述虛擬漏極與上述多晶硅柵極層相聯接，并位于上述源極及漏極的各個側面。

4.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述虛擬漏極位于上述源極及漏極的上端或下端。

5.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管還包括以與上述虛擬漏極隔開規定距離的方式形成的N阱層。

6.根據權利要求5所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述N阱層以包括上述源極及漏極和上述虛擬漏極的深度來形成。

7.根據權利要求6所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管還包括以能夠單獨向上述N阱層施加電壓的方式構成的N阱/金屬-1通孔。

8.根據權利要求7所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述N阱/金屬-1通孔位于形成在上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管的外圍的多個上述N阱層各自重疊的部分。

9.根據權利要求5所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管還包括形成于上述N阱層的下部的深N阱層。

10.根據權利要求9所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述深N阱層形成于上述N阱層、上述源極及漏極以及上述虛擬漏極的下部，并以包括以上述柵極區域為基準位于兩側的上述N阱層的長度來形成。

11.根據權利要求9所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管利用上述N阱層和位于上述N阱層的下部的上述深N阱層來分散或阻斷向上述晶體管的源極和漏極流動且由單粒子效應引起的電流脈沖。

12.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，在上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管中，在上述深N阱層與上述虛擬漏極以及上述晶體管的源極與漏極之間存在耗盡區域，通過向上述N阱層施加的電壓來調整上述耗盡區域的厚度。

13.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管利用布局修改技術來形成。

14.根據權利要求1所述的耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線金屬氧化物半導體場效應晶體管由具有P型金屬氧化物半導體柵電極圖案的P型金屬氧化物半導體或具有N型金屬氧化物半導體柵電極圖案的N型金屬氧化物半導體來構成。