[發(fā)明專利]耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811546910.4 | 申請日： | 2018-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN110350033B | 公開（公告）日： | 2023-09-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李熙哲;盧永卓 | 申請（專利權）人： | 韓國科學技術院 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 許振強;杜正國 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 三維 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 | ||
1.一種耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，用于減少由輻射引起的電流脈沖，其特征在于，包括：
柵極；
源極；
漏極；以及
第一虛擬漏極，
其中上述柵極位于上述源極與上述漏極之間，以及上述第一虛擬漏極位于上述漏極的非上述漏極面向柵極側的一側，
其中硅(Si)中性區(qū)域，位于上述漏極與上述第一虛擬漏極之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中硅(Si)中性區(qū)域摻雜為P型。
3.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中上述柵極、上述源極、上述漏極和上述第一虛擬漏極排成一行。
4.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述第一虛擬漏極位于上述漏極的左側或右側。
5.根據(jù)權利要求4所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，還包括第二虛擬漏極，其中上述漏極與上述第一虛擬漏極和上述第二虛擬漏極排成一行，并且位于上述第一虛擬漏極與上述第二虛擬漏極之間。
6.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，還包括N阱層，與上述源極、上述漏極、上述柵極及上述第一虛擬漏極間隔開。
7.根據(jù)權利要求6所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述N阱層形成于硅(Si)主體的表面。
8.根據(jù)權利要求7所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，
還包括N阱/金屬-1通孔，
上述N阱/金屬-1通孔形成于上述N阱層的表面。
9.根據(jù)權利要求6所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，還包括形成于上述N阱層下部的深N阱層。
10.根據(jù)權利要求9所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述深N阱層形成在上述柵極、上述源極及上述漏極、上述第一虛擬漏極及上述N阱層的下部。
11.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中上述第一虛擬漏極能夠施加電壓以分散由于上述輻射而引起的電流脈沖。
12.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，還包括：第二虛擬漏極，位于上述源極的非上述源極面向柵極側的一側。
13.根據(jù)權利要求8所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中上述N阱/金屬-1通孔向上述N阱層施加電壓。
14.根據(jù)權利要求1所述的耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，上述耐輻射線三維金屬氧化物半導體場效應晶體管是全環(huán)柵極(GAA)場效應晶體管(GAAFET)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
