[發明專利]一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法以及一種電池片的制備方法

在審

• 申請號: 201811546703.9
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109616556A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 李懋鴻;費存勇;趙福祥;崔鐘亨;張金花
• 申請（專利權）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

1.一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，包括以下步驟：利用激光設備對硅片的背面進行激光開槽，將激光開槽后的硅片放入沉積設備中，向所述沉積設備的沉積腔中通入反應氣體SiH₄和NH₃以及N₂進行沉積。

2.根據權利要求1所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述硅片已經進行過清洗制絨、背面鍍鈍化膜和保護膜。

3.根據權利要求1所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述激光開槽中的激光參數為：激光百分率為50-100%，激光頻率為200-1000kHz。

4.根據權利要求3所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述激光開槽中的激光參數為：激光百分率100%，激光頻率為800kHz。

5.根據權利要求1所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，將硅片放入沉積設備中時將兩片硅片的背面相貼固定在石墨舟相鄰的卡槽里，然后放入所述沉積設備中。

6.根據權利要求1所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述沉積過程為在無氧低壓且高溫下進行。

7.根據權利要求6所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述沉積條件為：沉積溫度為300-500℃，反應時間為30-50min，壓強為1000-3000mTorr。

8.根據權利要求7所述的一種硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法，其特征在于，所述沉積條件為：沉積溫度為400℃，反應時間為40min，壓強為2000mTorr。

9.一種電池片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如權利要求1-8任意一項所述的硅片背面退火和正面鍍膜一體化的方法。

10.根據權利要求9所述的一種電池片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括準備硅片后進行制絨清洗、背面鍍膜后進行背面激光開槽，之后在沉積設備中進行背面退火和正面鍍膜，最后進行絲網印刷和燒結。